高梯度加速结构中射频击穿现象的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 高梯度加速结构的应用 | 第9-12页 |
| 1.1.1 紧凑型正负电子对撞机 | 第9-10页 |
| 1.1.2 紧凑型光源 | 第10-11页 |
| 1.1.3 光阴极微波电子枪 | 第11页 |
| 1.1.4 用于国民生产的中低能加速器 | 第11-12页 |
| 1.2 射频击穿 | 第12-20页 |
| 1.2.1 射频击穿现象 | 第12-13页 |
| 1.2.2 射频击穿危害 | 第13-15页 |
| 1.2.3 射频击穿的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3 场致发射现象 | 第20-24页 |
| 1.3.1 场致发射简介 | 第20-22页 |
| 1.3.2 高梯度结构中场致发射研究现状 | 第22-24页 |
| 1.4 论文工作的主要内容和创新点 | 第24-27页 |
| 第2章 激光触发射频击穿的研究 | 第27-54页 |
| 2.1 物理背景 | 第27-28页 |
| 2.2 高功率实验平台 | 第28-30页 |
| 2.2.1 S波段光阴极微波电子枪 | 第28-29页 |
| 2.2.2 诊断方法 | 第29-30页 |
| 2.3 激光触发射频击穿实验 | 第30-41页 |
| 2.3.1 高功率激光对铜表面的损伤 | 第30-31页 |
| 2.3.2 高功率实验现象 | 第31-36页 |
| 2.3.3 实验现象初步分析 | 第36-41页 |
| 2.4 等效电路模型分析 | 第41-53页 |
| 2.4.1 等效电路模型 | 第42-43页 |
| 2.4.2 基本方程 | 第43-46页 |
| 2.4.3 模型基本参数 | 第46-48页 |
| 2.4.4 等效电路仿真与实验对比 | 第48-51页 |
| 2.4.5 讨论 | 第51-53页 |
| 2.5 小结 | 第53-54页 |
| 第3章 采用针形阴极的相关研究 | 第54-85页 |
| 3.1 L波段光阴极微波电子枪测试平台 | 第54-61页 |
| 3.1.1 L波段单腔高梯度光阴极微波电子枪 | 第54-59页 |
| 3.1.2 实验平台 | 第59-61页 |
| 3.2 针形阴极的微波老练 | 第61-69页 |
| 3.2.1 微波老练过程 | 第61-64页 |
| 3.2.2 场致发射电流演变情况 | 第64-66页 |
| 3.2.3 SEM表面形态分析 | 第66-67页 |
| 3.2.4 讨论 | 第67-69页 |
| 3.3 腔体储能对场致发射的影响 | 第69-83页 |
| 3.3.1 场致发射电流测量 | 第69-72页 |
| 3.3.2 场致发射电流动力学研究 | 第72-77页 |
| 3.3.3 各种因素的影响 | 第77-82页 |
| 3.3.4 讨论 | 第82-83页 |
| 3.4 小结 | 第83-85页 |
| 第4章 场致发射在线高分辨率成像研究 | 第85-113页 |
| 4.1 场致发射位置高分辨率在线成像方法 | 第85-88页 |
| 4.1.1 高分辨率场致发射成像难点 | 第85-86页 |
| 4.1.2 高分辨率场致发射成像方法 | 第86-88页 |
| 4.2 动力学仿真 | 第88-99页 |
| 4.2.1 成像参数定义 | 第88-90页 |
| 4.2.2 初始电子分布 | 第90-91页 |
| 4.2.3 发射相位/能量选择 | 第91-96页 |
| 4.2.4 成像特性研究 | 第96-99页 |
| 4.3 实验准备 | 第99-104页 |
| 4.3.1 阴极制备 | 第99-102页 |
| 4.3.2 实验平台升级改造 | 第102-104页 |
| 4.4 成像实验 | 第104-112页 |
| 4.4.1 高分辨率成像 | 第104-108页 |
| 4.4.2 单点场增强因子测量 | 第108-110页 |
| 4.4.3 表面形态研究 | 第110-112页 |
| 4.5 小结 | 第112-113页 |
| 第5章 总结与展望 | 第113-116页 |
| 参考文献 | 第116-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 附录A 阴极中心表面电场强度计算方法 | 第125-128页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第128-129页 |
