| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 阻变存储器简介 | 第9-10页 |
| 1.2.1 阻变存储器的结构 | 第9页 |
| 1.2.2 阻变存储器的性能参数 | 第9-10页 |
| 1.3 碳纳米管(CNTs)简介 | 第10-13页 |
| 1.3.1 碳纳米管的结构 | 第10-11页 |
| 1.3.2 碳纳米管的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.3.3 碳纳米管的性质及应用 | 第12-13页 |
| 1.4 碳纳米管电极基RRAM器件的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 器件的制备工艺及性能表征 | 第15-25页 |
| 2.1 衬底的退火及表征 | 第15-16页 |
| 2.2 碳纳米管的制备工艺 | 第16-22页 |
| 2.2.1 光刻工艺 | 第16-19页 |
| 2.2.2 催化剂的淀积 | 第19-20页 |
| 2.2.3 光刻胶剥离 | 第20-21页 |
| 2.2.4 碳纳米管的制备工艺 | 第21-22页 |
| 2.3 阻变层的制备工艺 | 第22-23页 |
| 2.4 上电极及电学接触的制备工艺 | 第23-25页 |
| 第三章 碳纳米管制备工艺的优化与分析 | 第25-43页 |
| 3.1 衬底退火工艺的优化 | 第25-28页 |
| 3.1.1 退火时间的优化 | 第25-27页 |
| 3.1.2 退火温度的优化 | 第27-28页 |
| 3.2 催化剂对CNTs生长的影响 | 第28-36页 |
| 3.2.1 Fe催化剂对CNTs生长的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.2 Ni催化剂对CNTs生长的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.3 Fe催化剂/Ti覆盖层结构对CNTs生长的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.4 Fe和Ni混合催化剂对CNTs生长的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 CH_4与H_2流量比对CNTs横向生长的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 生长温度对CNTs横向生长的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 生长时间对CNTs横向生长的影响 | 第40-42页 |
| 3.6 本章小节 | 第42-43页 |
| 第四章 HfO_2/CNTs结构RRAM器件性能的优化 | 第43-56页 |
| 4.1 不同金属上电极对HfO_2/CNTs结构RRAM器件性能的影响 | 第43-47页 |
| 4.1.1 相关器件的制备与表征 | 第43-44页 |
| 4.1.2 不同上电极HfO_2/CNTs结构RRAM器件的电学性能测试 | 第44-47页 |
| 4.2 不同HfO_2厚度对Al/HfO_2/CNTs结构RRAM器件性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.3 Al/HfO_2/CNTs结构RRAM器件阻变性能的研究 | 第49-55页 |
| 4.3.1 超低功耗的研究 | 第49-51页 |
| 4.3.2 不同催化剂线条对器件性能影响的研究 | 第51-53页 |
| 4.3.3 阻变机理的研究 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小节 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
