| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 红外光探测技术简介 | 第15-18页 |
| 1.1.1 红外探测技术的发展 | 第15-17页 |
| 1.1.2 红外探测技术的国外内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2 红外光电探测器的结构分类与原理 | 第18-21页 |
| 1.2.1 光电导型红外光电探测器 | 第18-19页 |
| 1.2.2 PN结型红外光电探测器 | 第19页 |
| 1.2.3 PIN型红外光电探测器 | 第19-20页 |
| 1.2.4 APD雪崩光电二极管 | 第20-21页 |
| 1.2.5 肖特基势垒型红外光电探测器 | 第21页 |
| 1.3 红外光电探测器的特性参数 | 第21-24页 |
| 1.3.1 探测波长λ | 第21-22页 |
| 1.3.2 光谱响应度R | 第22页 |
| 1.3.3 量子效率η | 第22-23页 |
| 1.3.4 响应频率(f)和上升下降时间(?)_r、(?)_f | 第23页 |
| 1.3.5 线性动态范围(LDR) | 第23页 |
| 1.3.6 噪声等效功率(NEP) | 第23-24页 |
| 1.3.7 探测率(D~*) | 第24页 |
| 1.4 本课题研究背景和意义 | 第24-26页 |
| 第二章 肖特基结型等离子体光电探测器的研究 | 第26-52页 |
| 2.1 引言 | 第26-33页 |
| 2.1.1 表面等离子体共振的原理 | 第26-28页 |
| 2.1.2 表面等离子体共振效应的应用 | 第28-31页 |
| 2.1.3 有限元(FEM)表面等离子体分析方法 | 第31-33页 |
| 2.2 二氧化硅包裹的金纳米棒(SiO_2@AuNR)的合成、表征及光学模拟 | 第33-37页 |
| 2.2.1 SiO_2@AuNR合成 | 第33页 |
| 2.2.2 SiO_2@AuNR的表征 | 第33-35页 |
| 2.2.3 SiO_2@AuNR的光学特性模拟 | 第35-37页 |
| 2.3 器件的制作及光学模拟 | 第37-42页 |
| 2.3.1 石墨烯的合成及表征 | 第37-38页 |
| 2.3.2 器件的制备过程 | 第38-40页 |
| 2.3.3 器件的光学模拟 | 第40-42页 |
| 2.4 器件的光电特性 | 第42-50页 |
| 2.4.1 器件的光电特性分析 | 第42-49页 |
| 2.4.2 器件原理的解释 | 第49-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 全碳结构宽光谱响应肖特基型光电探测器的研究 | 第52-60页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 器件的制备及表征 | 第52-54页 |
| 3.3 器件性能研究及机理解释 | 第54-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 全文总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第67页 |
