摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 纳米材料的奇异特性和性质 | 第9-13页 |
1.2.1 纳米材料的奇异特性 | 第9-11页 |
1.2.2 纳米材料的性质 | 第11-13页 |
1.3 纳米材料的制备方法 | 第13-14页 |
1.3.1 水热法 | 第13页 |
1.3.2 溶剂热合成法 | 第13-14页 |
1.3.3 化学气相沉积法(CVD) | 第14页 |
1.3.4 固相法 | 第14页 |
1.3.5 溶胶凝胶法 | 第14页 |
1.4 多元硫族化合物纳米材料 | 第14-15页 |
1.5 V-VI-VII族化合物纳米材料 | 第15-16页 |
1.6 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的概述 | 第16页 |
1.6.1 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的性质及其应用 | 第16页 |
1.6.2 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的制备方法 | 第16页 |
1.7 选题的根据及意义 | 第16-18页 |
第2章 Bi_(19)S_(27)I_3纳米棒簇薄膜的制备及其性能研究 | 第18-41页 |
2.1 引言 | 第18-19页 |
2.2 实验部分 | 第19-20页 |
2.2.1 实验原料和设备 | 第19页 |
2.2.2 基底的选择与清洗 | 第19-20页 |
2.2.3 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜的制备 | 第20页 |
2.3 材料的表征 | 第20-22页 |
2.4 结果分析与讨论 | 第22-27页 |
2.4.1 物相分析 | 第22-23页 |
2.4.2 形貌分析 | 第23-24页 |
2.4.3 结构成分分析 | 第24-25页 |
2.4.4 紫外-可见-近红外光谱分析 | 第25页 |
2.4.5 形成机理研究 | 第25-27页 |
2.5 影响因素分析与讨论 | 第27-29页 |
2.6 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜的光电性能测试及分析 | 第29-40页 |
2.6.1 光电器件的制作 | 第29页 |
2.6.2 反应时间为20小时的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能测试 | 第29-34页 |
2.6.2.1 I-V特性曲线 | 第29-31页 |
2.6.2.2 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应 | 第31-34页 |
2.6.3 反应时间为12小时的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能测试 | 第34-39页 |
2.6.3.1 I-V特性曲线 | 第34-36页 |
2.6.3.2 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应 | 第36-39页 |
2.6.4 不同反应时间的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能的对比分析 | 第39页 |
2.6.5 不同波长光照射Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应 | 第39-40页 |
2.7 本章小结 | 第40-41页 |
第3章 Bi_(19)S_(27)I_3纳米棒粉体的制备及其性能研究 | 第41-55页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 实验部分 | 第41-42页 |
3.2.1 实验原料和设备 | 第41-42页 |
3.2.2 Bi_(19)S_(27)I_3粉体的制备 | 第42页 |
3.3 材料的表征 | 第42-43页 |
3.4 结果分析与讨论 | 第43-47页 |
3.4.1 物相分析 | 第43-44页 |
3.4.2 形貌分析 | 第44-45页 |
3.4.3 结构成分分析 | 第45-46页 |
3.4.4 紫外-可见-近红外光谱分析 | 第46-47页 |
3.5 影响因素分析与讨论 | 第47-49页 |
3.5.1 反应温度的影响 | 第47页 |
3.5.2 反应体系的影响 | 第47-49页 |
3.6 Bi_(19)S_(27)I_3材料的光电性能测试及分析 | 第49-54页 |
3.6.1 光电器件的制作 | 第49页 |
3.6.2 I-V特性曲线 | 第49-51页 |
3.6.3 Bi_(19)S_(27)I_3样品的光电响应 | 第51-54页 |
3.7 本章小结 | 第54-55页 |
第4章 结论 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-62页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第62页 |