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六方Bi19S27I3一维纳米结构的控制合成及其光电探测性能研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 引言第9页
    1.2 纳米材料的奇异特性和性质第9-13页
        1.2.1 纳米材料的奇异特性第9-11页
        1.2.2 纳米材料的性质第11-13页
    1.3 纳米材料的制备方法第13-14页
        1.3.1 水热法第13页
        1.3.2 溶剂热合成法第13-14页
        1.3.3 化学气相沉积法(CVD)第14页
        1.3.4 固相法第14页
        1.3.5 溶胶凝胶法第14页
    1.4 多元硫族化合物纳米材料第14-15页
    1.5 V-VI-VII族化合物纳米材料第15-16页
    1.6 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的概述第16页
        1.6.1 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的性质及其应用第16页
        1.6.2 Bi_(19)S_(27)I_3纳米材料的制备方法第16页
    1.7 选题的根据及意义第16-18页
第2章 Bi_(19)S_(27)I_3纳米棒簇薄膜的制备及其性能研究第18-41页
    2.1 引言第18-19页
    2.2 实验部分第19-20页
        2.2.1 实验原料和设备第19页
        2.2.2 基底的选择与清洗第19-20页
        2.2.3 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜的制备第20页
    2.3 材料的表征第20-22页
    2.4 结果分析与讨论第22-27页
        2.4.1 物相分析第22-23页
        2.4.2 形貌分析第23-24页
        2.4.3 结构成分分析第24-25页
        2.4.4 紫外-可见-近红外光谱分析第25页
        2.4.5 形成机理研究第25-27页
    2.5 影响因素分析与讨论第27-29页
    2.6 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜的光电性能测试及分析第29-40页
        2.6.1 光电器件的制作第29页
        2.6.2 反应时间为20小时的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能测试第29-34页
            2.6.2.1 I-V特性曲线第29-31页
            2.6.2.2 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应第31-34页
        2.6.3 反应时间为12小时的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能测试第34-39页
            2.6.3.1 I-V特性曲线第34-36页
            2.6.3.2 Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应第36-39页
        2.6.4 不同反应时间的Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品光电性能的对比分析第39页
        2.6.5 不同波长光照射Bi_(19)S_(27)I_3薄膜样品的光电响应第39-40页
    2.7 本章小结第40-41页
第3章 Bi_(19)S_(27)I_3纳米棒粉体的制备及其性能研究第41-55页
    3.1 引言第41页
    3.2 实验部分第41-42页
        3.2.1 实验原料和设备第41-42页
        3.2.2 Bi_(19)S_(27)I_3粉体的制备第42页
    3.3 材料的表征第42-43页
    3.4 结果分析与讨论第43-47页
        3.4.1 物相分析第43-44页
        3.4.2 形貌分析第44-45页
        3.4.3 结构成分分析第45-46页
        3.4.4 紫外-可见-近红外光谱分析第46-47页
    3.5 影响因素分析与讨论第47-49页
        3.5.1 反应温度的影响第47页
        3.5.2 反应体系的影响第47-49页
    3.6 Bi_(19)S_(27)I_3材料的光电性能测试及分析第49-54页
        3.6.1 光电器件的制作第49页
        3.6.2 I-V特性曲线第49-51页
        3.6.3 Bi_(19)S_(27)I_3样品的光电响应第51-54页
    3.7 本章小结第54-55页
第4章 结论第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-62页
攻读学位期间的研究成果第62页

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