| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 半导体材料简介 | 第12-14页 |
| 1.2 低维半导体结构 | 第14-17页 |
| 1.3 闪锌矿和纤锌矿简介 | 第17-19页 |
| 1.4 二维过渡金属硫化物 | 第19-23页 |
| 1.4.1 二维过渡金属硫化物简介 | 第19-22页 |
| 1.4.2 二维材料的调制研究 | 第22-23页 |
| 1.5 本文研究材料介绍 | 第23-29页 |
| 1.5.1 GaN材料的性质和应用 | 第23-26页 |
| 1.5.2 SiGe材料的性质和应用 | 第26-28页 |
| 1.5.3 层状结构ZrS_2材料 | 第28-29页 |
| 1.6 主要研究内容 | 第29-32页 |
| 第二章 理论基础 | 第32-48页 |
| 2.1 激子态 | 第33页 |
| 2.2 有效质量理论 | 第33-36页 |
| 2.3 变分法 | 第36-37页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第37-42页 |
| 2.4.1 绝热近似（Born-Oppenheimer approximation） | 第37-39页 |
| 2.4.2 孔恩，沈吕九定理 | 第39-40页 |
| 2.4.3 局域密度近似和广义梯度近似 | 第40-41页 |
| 2.4.4 DFT+U方法 | 第41-42页 |
| 2.5 从头算计算使用的软件介绍 | 第42-43页 |
| 2.6 缺陷的形成能和跃迁能 | 第43-48页 |
| 2.6.1 半导体材料的掺杂 | 第43-44页 |
| 2.6.2 元素的化学势 | 第44-46页 |
| 2.6.3 缺陷的形成能和跃迁能级 | 第46-48页 |
| 第三章 纤锌矿InGaN staggered量子阱中激子态和光学性质 | 第48-64页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 模型和计算细节 | 第49-52页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第52-62页 |
| 3.3.1 对称结构InGaN staggered量子阱情形 | 第52-58页 |
| 3.3.2 非对称结构InGaN staggered量子阱情形 | 第58-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 激光对直接带隙Ge/SiGe量子阱中激子态和光学性质影响 | 第64-72页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 模型和计算细节 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第66-70页 |
| 4.3.1 激光场对量子阱激子基态性质的影响 | 第66-67页 |
| 4.3.2 阱宽对量子阱激子基态性质的影响 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 V和VII族掺杂ZrS_2单层的电子结构 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72-73页 |
| 5.2 计算方法 | 第73页 |
| 5.3 计算结果和讨论 | 第73-80页 |
| 5.3.1 本征ZrS_2单层的电子结构 | 第73-74页 |
| 5.3.2 V族原子掺杂ZrS_2单层的电子结构 | 第74-75页 |
| 5.3.3 V族原子掺杂ZrS_2单层的形成能和跃迁能级 | 第75-77页 |
| 5.3.4 VII族原子掺杂ZrS_2单层的电子结构 | 第77-78页 |
| 5.3.5 VII族原子掺杂ZrS_2单层的形成能和跃迁能级 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 二维ZrS_(2-2x)Se_(2x)合金的电子结构和光学性质的研究 | 第82-88页 |
| 6.1 引言 | 第82-83页 |
| 6.2 计算方法 | 第83页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第83-86页 |
| 6.3.1 二维ZrS_(2-2x)Se_(2x)合金的形成能 | 第83-84页 |
| 6.3.2 二维ZrS_(2-2x)Se_(2x)合金的电子结构特征 | 第84-85页 |
| 6.3.3 二维ZrS_(2-2x)Se_(2x)合金的的光学性质 | 第85-86页 |
| 6.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第七章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 攻读博士学位期间的主要工作 | 第106-107页 |
| 参加的学术会议交流 | 第107-108页 |
