| 摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 主要缩写对照表 | 第11-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-48页 |
| 1.1 石墨烯的基本性质与器件应用 | 第17-25页 |
| 1.1.1 石墨烯材料的制备 | 第17-18页 |
| 1.1.2 石墨烯的基本性质 | 第18-20页 |
| 1.1.3 石墨烯的光学表征 | 第20-22页 |
| 1.1.4 石墨烯的热学与机械性能 | 第22页 |
| 1.1.5 石墨烯的磁性与自旋性质 | 第22-23页 |
| 1.1.6 石墨烯的电子输运性质 | 第23-24页 |
| 1.1.7 石墨烯的器件应用 | 第24-25页 |
| 1.2 TMDs材料基本性质与器件应用 | 第25-28页 |
| 1.2.1 TMDs材料的基本性质 | 第26-27页 |
| 1.2.2 基于TMDs材料的电子器件 | 第27-28页 |
| 1.3 其他二维材料研究现状 | 第28-30页 |
| 1.4 二维材料异质结构的基本性质与器件应用 | 第30-33页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-48页 |
| 第二章 电学与光电测量 | 第48-61页 |
| 2.1 室温电学测量平台 | 第48-49页 |
| 2.2 低温输运测量平台 | 第49-52页 |
| 2.3 室温光电测量平台 | 第52页 |
| 2.4 离子液体技术 | 第52-58页 |
| 2.4.1 离子液体简介 | 第52-54页 |
| 2.4.2 离子液体应用 | 第54-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 样品与器件制备 | 第61-68页 |
| 3.1 样品材料准备 | 第61-62页 |
| 3.2 掩膜法器件制作 | 第62-63页 |
| 3.3 电子束曝光器件制作 | 第63-65页 |
| 3.4 异质结器件制作 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第四章 ReS2的性质研究 | 第68-89页 |
| 4.1 ReS_2的基本性质 | 第68-69页 |
| 4.2 ReS_2的弱层间耦合 | 第69-71页 |
| 4.3 ReS_2拉曼光谱研究 | 第71-73页 |
| 4.4 ReS_2 FET器件研究 | 第73-78页 |
| 4.5 ReS_2各向异性性质研究 | 第78-81页 |
| 4.6 ReS_2变温输运测量 | 第81-83页 |
| 4.7 离子液体下ReS_2 FET器件性质 | 第83-85页 |
| 4.8 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第五章 基于ReS_2的器件应用 | 第89-108页 |
| 5.1 基于ReS_2的逻辑器件 | 第89-93页 |
| 5.2 基于ReS_2的光电器件 | 第93-104页 |
| 5.2.1 ReS_2光电探测器的制备与表征 | 第93-96页 |
| 5.2.2 ReS_2光电探测器的光电响应 | 第96-101页 |
| 5.2.3 ReS_2光电探测器高响应率的增强机制 | 第101-103页 |
| 5.2.4 ReS_2光电探测器微弱信号探测 | 第103-104页 |
| 5.3 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第六章 石墨烯、二硫化钼与异质结研究 | 第108-144页 |
| 6.1 石墨烯性质研究 | 第108-116页 |
| 6.1.1 石墨烯输运性质研究 | 第108-109页 |
| 6.1.2 悬浮石墨烯应力电学性质研究 | 第109-112页 |
| 6.1.3 石墨烯结构修饰 | 第112-116页 |
| 6.2 MoS_2超导性质研究 | 第116-125页 |
| 6.2.1 MoS_2的基本性质 | 第117-120页 |
| 6.2.2 薄层MoS_2本征超导研究 | 第120-125页 |
| 6.3 二维材料异质结构的光电器件研究 | 第125-133页 |
| 6.3.1 二维材料异质结构光电探测器器件简介 | 第126-129页 |
| 6.3.2 基于二维材料异质结构p-G-n的光电探测器 | 第129-133页 |
| 6.4 本章小结 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-144页 |
| 第七章 结论与展望 | 第144-147页 |
| 7.1 结论 | 第144-146页 |
| 7.2 展望 | 第146-147页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |