| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 石墨烯性质 | 第11-13页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第13页 |
| 1.2.3 石墨烯的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 类石墨烯二硫化钼概述 | 第14-19页 |
| 1.3.1 类石墨烯二硫化钼性质 | 第14-16页 |
| 1.3.2 类石墨烯二硫化钼制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.3 单层二硫化钼的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 本文选题意义及主要研究思路 | 第19-21页 |
| 第二章 实验部分 | 第21-28页 |
| 2.1 实验材料及仪器设备 | 第21-22页 |
| 2.2 样品的制备 | 第22-24页 |
| 2.2.1 氧化石墨(GO)的制备过程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 二硫化钼的制备过程 | 第23页 |
| 2.2.3 二硫化钼与石墨烯复合 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜电极的制备 | 第24-26页 |
| 2.3.1 真空抽滤法制备FTO电极 | 第24-25页 |
| 2.3.2 电泳法制备钛片电极 | 第25-26页 |
| 2.3.3 泡沫镍电极的制备 | 第26页 |
| 2.4 表征技术 | 第26-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第26页 |
| 2.4.2 拉曼光谱 | 第26页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜(TEM) | 第26页 |
| 2.4.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第26页 |
| 2.4.6 紫外可见近红外吸收光谱 | 第26-27页 |
| 2.4.7 光电测试 | 第27-28页 |
| 第三章 GO和块体MoS2的制备及表征 | 第28-34页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 Hummers法制备GO | 第28-30页 |
| 3.2.1 实验内容 | 第28-29页 |
| 3.2.2 表征结果与分析 | 第29-30页 |
| 3.3 水热法制备MoS_2 | 第30-33页 |
| 3.3.1 实验内容 | 第30页 |
| 3.3.2 反应条件对样品微结构的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3 样品的形貌表征 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 MoS_2/RGO异质结 | 第34-51页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 制备MoS_2/RGO异质结材料 | 第35-40页 |
| 4.2.1 实验内容 | 第35页 |
| 4.2.2 GO含量对样品微结构及形貌的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.3 反应温度对样品形貌的影响 | 第37-39页 |
| 4.2.4 Graphene参与反应对样品构成的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 块体MoS_2与MoS_2/RGO对比 | 第40-43页 |
| 4.3.1 XRD对比分析 | 第40-41页 |
| 4.3.2 Raman光谱对比分析 | 第41页 |
| 4.3.3 XPS对比分析 | 第41-42页 |
| 4.3.4 UV-Vis-NIR光谱分析 | 第42-43页 |
| 4.4 钛片电极的光电响应测试 | 第43-44页 |
| 4.5 泡沫镍电极的光电响应测试 | 第44-45页 |
| 4.6 FTO电极的光电测试结果 | 第45-49页 |
| 4.6.1 电流电压(I-v)曲线测试 | 第45-46页 |
| 4.6.2 电流时间(I-t)曲线测试 | 第46-47页 |
| 4.6.3 薄膜的SEM表征 | 第47-48页 |
| 4.6.4 膜厚对I-v曲线的影响 | 第48页 |
| 4.6.5 膜厚对I-t曲线的影响 | 第48-49页 |
| 4.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 总结与展望 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |