| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·研究背景 | 第10-15页 |
| ·Sb_2S_3性质与结构 | 第10-12页 |
| ·Sb_2S_3的制备方法 | 第12-15页 |
| ·Sb_2S_3薄膜的掺杂 | 第15-17页 |
| ·Sb_2S_3薄膜忆阻器 | 第17-24页 |
| ·金属与半导体接触 | 第17-19页 |
| ·忆阻的概念及特性 | 第19-21页 |
| ·忆阻器的工作机理 | 第21-24页 |
| ·课题的提出与研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第26-32页 |
| ·原料与设备 | 第26-27页 |
| ·方案设计和实验过程 | 第27-29页 |
| ·方案设计 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·样品结构和性能表征 | 第29-32页 |
| 第三章 Sb_2S_3薄膜的制备及沉积原理分析 | 第32-42页 |
| ·TS体系制备Sb_2S_3薄膜及原理分析 | 第32-34页 |
| ·TA体系制备Sb_2S_3薄膜及性能表征 | 第34-38页 |
| ·硫源与络合剂的选择 | 第34-35页 |
| ·沉积溶液的pH范围 | 第35-38页 |
| ·沉积温度的范围 | 第38页 |
| ·不同硫源体系对薄膜的影响 | 第38-40页 |
| ·不同硫源体系对薄膜结晶质量的影响 | 第38-39页 |
| ·不同硫源体系对薄膜光学性能的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 掺杂Sb_2S_3薄膜的制备及性能表征 | 第42-56页 |
| ·Na_2S_2O_3浓度、pH等实验参数的优化 | 第43-45页 |
| ·Na_2S_2O_3浓度的优化 | 第43-44页 |
| ·pH的优化 | 第44-45页 |
| ·掺杂对Sb_2S_3薄膜结构、形貌及性能的影响 | 第45-49页 |
| ·掺杂对Sb_2S_3薄膜晶体结构和组成的影响 | 第45-46页 |
| ·掺杂对Sb_2S_3薄膜晶体形貌的影响 | 第46-49页 |
| ·掺杂对Sb_2S_3薄膜晶体光学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·掺杂对Sb_2S_3薄膜晶体电学性能的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 第五章 Sb_2S_3忆阻器的制备及其忆阻性能的研究 | 第56-64页 |
| ·薄膜厚度对忆阻器性能的影响 | 第56-59页 |
| ·忆阻器的忆阻稳定性 | 第59-60页 |
| ·忆阻机理的分析 | 第60-62页 |
| ·退火对Sb_2S_3薄膜忆阻性能的影响 | 第60页 |
| ·电极对Sb_2S_3薄膜忆阻性能的影响 | 第60-61页 |
| ·忆阻机理的分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附录 | 第71页 |