| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-24页 |
| ·In As纳米线光电探测器 | 第11-15页 |
| ·纳米线光电探测器发展简介 | 第11-13页 |
| ·In As纳米线光电探测器 | 第13-15页 |
| ·石墨烯光电探测器 | 第15-19页 |
| ·光伏效应 | 第15-17页 |
| ·光热电效应 | 第17-18页 |
| ·辐射热效应 | 第18-19页 |
| ·photogating效应 | 第19页 |
| ·基于二维电子气等离子体波的太赫兹探测器 | 第19-24页 |
| 第二章 基于多子导电机制的In As纳米线光电探测器 | 第24-41页 |
| ·引言 | 第24-27页 |
| ·In As纳米线材料的合成 | 第27-28页 |
| ·In As纳米线场效应晶体管（FET）的制作 | 第28-29页 |
| ·In As纳米线FET光电测试研究 | 第29-39页 |
| ·基于多子导电机制的反常光电现象及其基本物理模型 | 第29-31页 |
| ·背栅调制对反常光响应的影响研究 | 第31-35页 |
| ·表面态对反常光响应影响的研究 | 第35-36页 |
| ·不同光功率下的反常光响应研究 | 第36-38页 |
| ·纳米线不同位置处的反常光响应研究 | 第38-39页 |
| ·红外光响应测试研究 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 石墨烯近红外光电性能研究 | 第41-54页 |
| ·引言 | 第41-44页 |
| ·石墨烯场效应晶体管（FET）的制作 | 第44-45页 |
| ·石墨烯FET光电测试 | 第45-52页 |
| ·微区光电流扫描测试平台 | 第45-49页 |
| ·石墨烯FET可见/近红外mapping测试 | 第49-52页 |
| ·石墨烯FET近红外成像 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 Ga N基HEMT器件交替周期性栅结构太赫兹波探测器 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·器件结构及计算模型 | 第55-57页 |
| ·THz波吸收谱模拟计算结果分析 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-66页 |
| ·论文总结 | 第63-64页 |
| ·后期展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-80页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第80-82页 |