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单光子雪崩二极管建模及基于荧光寿命成像的像素单元设计

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 绪论第10-18页
   ·单光子探测器的研究背景和意义第10页
   ·单光子探测器(SPAD)结构的演变第10-14页
     ·衬底探测型器件第11页
     ·表面探测型器件第11-12页
     ·CMOS工艺下的表面探测型器件第12-14页
   ·荧光寿命成像的应用第14页
   ·国内外研究现状第14-16页
   ·本文的主要研究内容及创新点第16-18页
第二章 单光子二极管的理论基础及荧光寿命探测方法第18-27页
   ·SPAD器件工作原理第18-19页
   ·SPAD器件的关键性能参数第19-21页
     ·光子探测效率第19页
     ·暗计数率第19-20页
     ·后脉冲第20页
     ·串扰率第20-21页
   ·常用电路结构及荧光寿命探测方法第21-25页
     ·被动淬灭电路第21页
     ·主动淬灭复位电路第21-22页
     ·阵列级电路结构第22-23页
     ·门控探测方法第23-24页
     ·时间相关单光子计数第24-25页
     ·基于扫描相机的荧光寿命成像第25页
   ·本章小结第25-27页
第三章 单光子二极管器件理论建模第27-38页
   ·器件统计物理模型建立第27-28页
   ·光子探测效率的建模第28-29页
   ·暗计数率建模第29-30页
   ·后脉冲几率建模第30-31页
   ·Geiger mode TCAD仿真第31-33页
   ·模型计算结果验证第33-36页
   ·本章小结第36-38页
第四章 单光子二极管EDA仿真模型第38-51页
   ·SPAD基本模型第38-40页
   ·改进的SPAD Verilog-A仿真模型第40-44页
     ·光子探测脉冲第40-42页
     ·暗计数脉冲第42-43页
     ·后脉冲第43-44页
   ·Verilog-A模型实现过程第44-45页
   ·模型仿真验证第45-50页
   ·本章小结第50-51页
第五章 荧光成像像素单元电路及其版图研究第51-60页
   ·像素级单元第51-55页
     ·施密特触发电路第52-53页
     ·门控电路第53-55页
   ·像素级单元仿真分析第55-58页
   ·像素级单元的版图设计第58-59页
   ·本章小结第59-60页
第六章 总结与展望第60-63页
   ·论文总结第60-61页
   ·研究展望第61-63页
参考文献第63-66页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第66-67页
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利第67-68页
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目第68-69页
致谢第69页

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