| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·集成电路发展过程 | 第12-14页 |
| ·集成电路发展面临的挑战 | 第14-15页 |
| ·高介电常数栅介质材料 | 第15-18页 |
| ·高介电常数栅介质材料的特性 | 第15-16页 |
| ·高介电常数栅介质材料的选择 | 第16-18页 |
| ·HfO_2的结构和性质 | 第18-20页 |
| ·HfO_2的研究现状 | 第20-22页 |
| ·HfO_2性能改善方面的研究 | 第20-21页 |
| ·HfO_2光学方面的研究 | 第21-22页 |
| ·超薄膜简介 | 第22页 |
| ·椭偏仪的产生与发展 | 第22-25页 |
| ·椭偏仪的产生背景 | 第23页 |
| ·椭偏仪的发展 | 第23-25页 |
| ·椭偏仪的应用 | 第25页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第25-28页 |
| 第二章 实验方案及样品制备 | 第28-38页 |
| ·实验方案 | 第28-30页 |
| ·实验仪器简介 | 第30-32页 |
| ·相调制型光谱椭偏仪 | 第30页 |
| ·高分辨透射电镜 | 第30-31页 |
| ·掠入射X射线反射仪 | 第31-32页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第32页 |
| ·HfO_2薄膜样品的制备 | 第32-34页 |
| ·衬底处理 | 第32-34页 |
| ·薄膜的生长 | 第34页 |
| ·HfO_2超薄膜TEM检测样品的制备 | 第34-38页 |
| 第三章 相调制型光谱椭偏仪（SE）校准及检验 | 第38-46页 |
| ·仪器结构简介 | 第38-39页 |
| ·相调制型光谱椭偏仪的测量原理 | 第39-40页 |
| ·仪器校准 | 第40-43页 |
| ·光路准直校准 | 第40-41页 |
| ·色散元件校准 | 第41-43页 |
| ·校准结果检验 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 标准物质量值传递给光谱椭偏仪有效性研究 | 第46-54页 |
| ·量传需求 | 第46-47页 |
| ·原理说明 | 第47-49页 |
| ·结果分析 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 HfO_2超薄膜厚度测量与分析 | 第54-62页 |
| ·光谱椭偏仪（SE）对HfO_2薄膜测量与分析 | 第54-58页 |
| ·高分辨透射电镜(TEM)对HfO_2薄膜测量与分析 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第六章 HfO_2超薄膜的膜层结构与成分分析 | 第62-72页 |
| ·掠入射X射线反射（GIXRR）对薄膜结构分析 | 第62-67页 |
| ·掠入射X射线反射测量原理 | 第62页 |
| ·数据拟合软件IMD简介 | 第62-63页 |
| ·GIXRR检测结果及分析 | 第63-66页 |
| ·污染层厚度验证及污染层清洗 | 第66-67页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS）对膜层成分分析 | 第67-70页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS）测量原理 | 第67-68页 |
| ·X射线光电子能谱检测结果及分析 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第七章 结论与展望 | 第72-74页 |
| ·论文工作总结 | 第72-73页 |
| ·不足与展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-88页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及研究成果 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |