| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| ·微系统的简介 | 第9-11页 |
| ·现代微细加工技术 | 第11-22页 |
| ·微细加工技术分类 | 第11-12页 |
| ·LIGA 技术 | 第12-13页 |
| ·体硅微加工技术 | 第13-14页 |
| ·硅表面微机械加工技术 | 第14-15页 |
| ·微接触印刷技术 | 第15-17页 |
| ·固相键合技术 | 第17-18页 |
| ·3D 电化学微加工 | 第18-19页 |
| ·EFAB 技术 | 第19-20页 |
| ·扫描电化学显微镜（SECM）技术 | 第20页 |
| ·扫描探针显微镜技术（SPM） | 第20-21页 |
| ·电化学湿印章技术 | 第21-22页 |
| ·约束刻蚀剂层技术（CELT） | 第22-24页 |
| ·当前三维微加工方法的局限性 | 第22-23页 |
| ·约束刻蚀剂层技术简介 | 第23页 |
| ·约束刻蚀剂层技术的原理及其优点 | 第23-24页 |
| ·本论文的目标与设想 | 第24-26页 |
| 第2章 实验部分 | 第26-40页 |
| ·实验材料与试剂 | 第26-27页 |
| ·实验所用化学试剂 | 第26页 |
| ·被加工基底材料 | 第26-27页 |
| ·其他实验装置以及实验材料 | 第27页 |
| ·工作电极的制作 | 第27-31页 |
| ·Pt 微圆柱电极 | 第27-28页 |
| ·PMMA/Ti/Pt 模板电极 | 第28-31页 |
| ·Pt 微圆柱电极与 PMMA/Ti/Pt 模板电极的比较 | 第31页 |
| ·电解池 | 第31-33页 |
| ·超精密电化学微钠米加工制造系统 | 第33-35页 |
| ·仪器的组成及其性能 | 第33-34页 |
| ·电化学微加工实验操作步骤 | 第34-35页 |
| ·p-Si 表面电接触点的化学镀镍 | 第35-36页 |
| ·微结构表征方法简介 | 第36-40页 |
| ·金相显微镜 | 第36页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第37-40页 |
| 第3章 Si 约束刻蚀机理研究 | 第40-52页 |
| ·前言 | 第40页 |
| ·刻蚀剂的遴选 | 第40-41页 |
| ·HNO_3/HF 刻蚀体系对硅刻蚀动力学研究 | 第41-46页 |
| ·刻蚀速率的腐蚀失重法测定 | 第41-43页 |
| ·塔菲尔曲线的测量和电化学腐蚀速率推算 | 第43-44页 |
| ·捕捉剂的筛选 | 第44-46页 |
| ·利用 HNO_3/HF/NaOH 体系对 p-Si 进行 CELT 加工的原理 | 第46页 |
| ·Br_2/HF 刻蚀体系对 Si 刻蚀动力学研究 | 第46-49页 |
| ·捕捉剂的筛选 | 第47-49页 |
| ·利用 Br_2/HF/L-胱氨酸体系对 p 型硅进行 CELT 加工原理 | 第49页 |
| ·表面活性剂的筛选 | 第49-50页 |
| ·温度对 p-Si 腐蚀速率的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 硅约束刻蚀体系的筛选和优化 | 第52-58页 |
| ·前言 | 第52页 |
| ·利用 Pt 微圆柱电极对刻蚀体系进行优化 | 第52-57页 |
| ·利用 HNO_3/HF/NaOH 体系进行刻蚀加工 | 第53-55页 |
| ·利用 Br_2/HF/L-胱氨酸体系进行刻蚀加工 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 CELT 技术用于 p-Si 表面三维微结构的复制加工 | 第58-67页 |
| ·前言 | 第58页 |
| ·CELT 加工硅基微/纳光学元件需考虑的问题 | 第58-63页 |
| ·保持模板电极与硅平行的问题 | 第58-61页 |
| ·模板电极与基底微区溶液更新补充问题 | 第61-63页 |
| ·利用约束刻蚀剂层技术在 p 型硅上制作微纳光学元件 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第6章 研究工作总结与展望 | 第67-69页 |
| ·本论文工作总结 | 第67页 |
| ·后续研究工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
