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碳化硅纳米线的第一性原理研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-15页
   ·半导体碳化硅纳米材料的研究背景及应用第9-11页
   ·碳化硅块体和纳米线的结构及基本性质第11-12页
   ·研究的目的和意义第12-13页
   ·研究的主要内容第13-15页
第2章 理论方法第15-25页
   ·引言第15页
   ·第一性计算方法的基本原理第15-18页
     ·Born-Oppenheimer 近似第16-17页
     ·单电子近似第17页
     ·Hartree-Fock 近似第17-18页
   ·密度泛函理论第18-22页
     ·Hobenberg-Kohn 定理第18-19页
     ·Kohn-Sham 方程第19-20页
     ·交换关联泛函第20-22页
   ·赝势方法第22-23页
   ·CASTEP 简介第23-24页
   ·本章小结第24-25页
第3章 形貌对碳化硅纳米线的影响第25-39页
   ·引言第25-26页
   ·计算方法第26-27页
   ·电子结构第27-30页
     ·优化结构第27-28页
     ·能态分析第28-30页
   ·光电性能分析第30-38页
     ·吸收系数第31-33页
     ·消光系数和折射率第33-36页
     ·光电导率第36-38页
   ·本章小结第38-39页
第4章 空位对碳化硅纳米线的影响第39-51页
   ·引言第39页
   ·计算方法第39-40页
   ·空位对块体和纳米线电子结构的影响第40-45页
     ·优化结构第40-42页
     ·能态分析第42-45页
   ·空位对块体和纳米线光学性质的影响第45-50页
     ·介电函数的计算第45-46页
     ·结果与讨论第46-50页
   ·本章小结第50-51页
结论第51-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果第57-58页
致谢第58-59页
作者简介第59页

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