碳化硅纳米线的第一性原理研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
·半导体碳化硅纳米材料的研究背景及应用 | 第9-11页 |
·碳化硅块体和纳米线的结构及基本性质 | 第11-12页 |
·研究的目的和意义 | 第12-13页 |
·研究的主要内容 | 第13-15页 |
第2章 理论方法 | 第15-25页 |
·引言 | 第15页 |
·第一性计算方法的基本原理 | 第15-18页 |
·Born-Oppenheimer 近似 | 第16-17页 |
·单电子近似 | 第17页 |
·Hartree-Fock 近似 | 第17-18页 |
·密度泛函理论 | 第18-22页 |
·Hobenberg-Kohn 定理 | 第18-19页 |
·Kohn-Sham 方程 | 第19-20页 |
·交换关联泛函 | 第20-22页 |
·赝势方法 | 第22-23页 |
·CASTEP 简介 | 第23-24页 |
·本章小结 | 第24-25页 |
第3章 形貌对碳化硅纳米线的影响 | 第25-39页 |
·引言 | 第25-26页 |
·计算方法 | 第26-27页 |
·电子结构 | 第27-30页 |
·优化结构 | 第27-28页 |
·能态分析 | 第28-30页 |
·光电性能分析 | 第30-38页 |
·吸收系数 | 第31-33页 |
·消光系数和折射率 | 第33-36页 |
·光电导率 | 第36-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第4章 空位对碳化硅纳米线的影响 | 第39-51页 |
·引言 | 第39页 |
·计算方法 | 第39-40页 |
·空位对块体和纳米线电子结构的影响 | 第40-45页 |
·优化结构 | 第40-42页 |
·能态分析 | 第42-45页 |
·空位对块体和纳米线光学性质的影响 | 第45-50页 |
·介电函数的计算 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
作者简介 | 第59页 |