碳化硅纳米线的第一性原理研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第1章 绪论	第9-15页
·半导体碳化硅纳米材料的研究背景及应用	第9-11页
·碳化硅块体和纳米线的结构及基本性质	第11-12页
·研究的目的和意义	第12-13页
·研究的主要内容	第13-15页
第2章 理论方法	第15-25页
·引言	第15页
·第一性计算方法的基本原理	第15-18页
·Born-Oppenheimer 近似	第16-17页
·单电子近似	第17页
·Hartree-Fock 近似	第17-18页
·密度泛函理论	第18-22页
·Hobenberg-Kohn 定理	第18-19页
·Kohn-Sham 方程	第19-20页
·交换关联泛函	第20-22页
·赝势方法	第22-23页
·CASTEP 简介	第23-24页
·本章小结	第24-25页
第3章 形貌对碳化硅纳米线的影响	第25-39页
·引言	第25-26页
·计算方法	第26-27页
·电子结构	第27-30页
·优化结构	第27-28页
·能态分析	第28-30页
·光电性能分析	第30-38页
·吸收系数	第31-33页
·消光系数和折射率	第33-36页
·光电导率	第36-38页
·本章小结	第38-39页
第4章 空位对碳化硅纳米线的影响	第39-51页
·引言	第39页
·计算方法	第39-40页
·空位对块体和纳米线电子结构的影响	第40-45页
·优化结构	第40-42页
·能态分析	第42-45页
·空位对块体和纳米线光学性质的影响	第45-50页
·介电函数的计算	第45-46页
·结果与讨论	第46-50页
·本章小结	第50-51页
结论	第51-53页
参考文献	第53-57页
攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果	第57-58页
致谢	第58-59页
作者简介	第59页