| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·E类及逆E类射频功率放大器的背景及其意义 | 第8-10页 |
| ·E类及逆E类射频功率放大器的研究现状 | 第10-13页 |
| ·本课题的主要工作及论文的结构 | 第13-14页 |
| 2 射频功率放大器设计基础 | 第14-28页 |
| ·射频功率放大器的主要技术指标 | 第14-19页 |
| ·输出功率 | 第14-15页 |
| ·功率增益 | 第15页 |
| ·效率 | 第15-16页 |
| ·线性度 | 第16-18页 |
| ·谐波失真 | 第16页 |
| ·三阶互调失真(IMD3) | 第16-17页 |
| ·1dB压缩点和三阶互调截点(PIP3) | 第17-18页 |
| ·稳定性 | 第18页 |
| ·功率放大器的其他技术指标 | 第18-19页 |
| ·射频功率放大器的分类 | 第19-27页 |
| ·A类射频功率放大器 | 第19-21页 |
| ·B类射频功率放大器 | 第21-23页 |
| ·AB类射频功率放大器 | 第23页 |
| ·C类射频功率放大器 | 第23-24页 |
| ·D类射频功率放大器 | 第24-25页 |
| ·E类射频功率放大器 | 第25页 |
| ·F类射频功率放大器 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 E类及逆E类射频功率放大器的设计 | 第28-54页 |
| ·E类射频功率放大器的设计 | 第28-47页 |
| ·E类射频功率放大器的原理 | 第28-32页 |
| ·E类射频功率放大器的设计流程 | 第32-33页 |
| ·基于集总元件设计的GaN E类功放 | 第33-40页 |
| ·器件的选择 | 第33-34页 |
| ·偏置电压及漏极电源电压的选择 | 第34-35页 |
| ·负载回路元件值的计算 | 第35-36页 |
| ·考察晶体管的稳定性 | 第36-37页 |
| ·对负载回路元件值的仿真优化 | 第37-38页 |
| ·整体电路的仿真结果 | 第38-40页 |
| ·基于微带线结构设计的GaN E类功放 | 第40-47页 |
| ·微带线结构的E类功放负载网络 | 第40-41页 |
| ·微带线结构的E类功放的设计 | 第41-47页 |
| ·逆E类射频功率放大器的设计 | 第47-52页 |
| ·逆E类射频功率放大器的原理 | 第47-49页 |
| ·基于集总元件设计的GaN逆E类功放 | 第49-52页 |
| ·E类功放与逆E类功放的优缺点比较 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 宽带E类射频功率放大器的设计 | 第54-70页 |
| ·宽带E类功放的原理 | 第54-61页 |
| ·宽带E类功放的负载及源阻抗的选取 | 第55-56页 |
| ·宽带E类功放阻抗变换网络的选择 | 第56-58页 |
| ·切比雪夫低通阻抗变换网络 | 第58-61页 |
| ·基于切比雪夫低通阻抗变换网络的宽带E类功放的整体仿真结果 | 第61-65页 |
| ·基于RLC串联谐振电路的通带内增益平坦化技术 | 第65-69页 |
| ·传统负反馈方法 | 第65-66页 |
| ·基于RLC串联谐振的负反馈方法 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 5 基于CMOS工艺的E类及逆E类射频功率放大器的设计 | 第70-92页 |
| ·CMOS工艺用于制作功率放大器的困难与挑战 | 第70-71页 |
| ·有耗衬底 | 第70页 |
| ·MOS管击穿电压 | 第70-71页 |
| ·基于CMOS工艺的E类射频功放的设计 | 第71-83页 |
| ·CMOS工艺E类功放的电路原理图的设计 | 第71-76页 |
| ·共源共栅(cascode)结构 | 第71-72页 |
| ·MOS管尺寸、偏置电压和电源电压的选择 | 第72-73页 |
| ·整体电路元件的计算和仿真优化 | 第73-74页 |
| ·仿真结果 | 第74-76页 |
| ·CMOS工艺E类功放的版图的设计 | 第76-83页 |
| ·CMOS工艺中的无源及有源器件 | 第76-79页 |
| ·版图设计中需要遵守的规则和注意的问题 | 第79页 |
| ·E类功放版图设计及后仿真结果 | 第79-83页 |
| ·基于CMOS工艺的逆E类射频功放的设计 | 第83-91页 |
| ·CMOS工艺逆E类功放的电路原理图的设计 | 第83-87页 |
| ·CMOS工艺逆E类功放的版图的设计 | 第87-91页 |
| ·在CMOS工艺下逆E类功放相比较于E类功放的优势 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 结论及展望 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
