| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·半导体纳米晶概述 | 第9-12页 |
| ·半导体纳米晶的定义 | 第9页 |
| ·半导体纳米晶的物理效应 | 第9-10页 |
| ·半导体纳米晶的发光原理和发光特性 | 第10-12页 |
| ·半导体纳米晶制备 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米晶的理论研究现状 | 第13-16页 |
| ·半导体纳米晶的理论研究方法 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米晶的理论研究现状 | 第14-16页 |
| ·半导体纳米晶的光电性能研究进展 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第22-31页 |
| ·化学胶体合成法制备半导体纳米晶 | 第22-23页 |
| ·光谱分析技术 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射分析技术[17]（XRD） | 第23页 |
| ·紫外-可见光谱分析技术[20-22]（UV-Vis） | 第23-24页 |
| ·连续离子层吸附反应法[23] | 第24-25页 |
| ·紫外光刻技术 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第三章 CdS_xSe_(1-x)纳米晶的制备及水溶性修饰 | 第31-41页 |
| ·前言 | 第31页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·化学胶体合成法制备半导体 CdS_xSe_(1-x)纳米晶 | 第31-32页 |
| ·CdS_xSe_(1-x)纳米晶水溶性修饰 | 第32页 |
| ·实验结果及分析 | 第32-38页 |
| ·油溶性 CdS_xSe_(1-x)纳米晶结构分析 | 第32-33页 |
| ·水溶性 CdS_xSe_(1-x)纳米晶表面状态测定 | 第33-34页 |
| ·油溶性和水溶性 CdS_xSe_(1-x)纳米晶光学性能对比分析 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 第一性原理研究 S 替代对 CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响 | 第41-52页 |
| ·前言 | 第41页 |
| ·计算方法与理论模型 | 第41-42页 |
| ·计算结果及讨论 | 第42-48页 |
| ·CdSe 晶体计算结果及讨论 | 第42-43页 |
| ·CdSe 晶体结构几何优化 | 第42页 |
| ·CdSe晶体的能带图与态密度图 | 第42-43页 |
| ·S 掺杂对 CdSe 晶体的影响 | 第43-48页 |
| ·结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第五章 连续离子吸附法（SILAR）构建 CdS 纳米晶光电探测单元 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验内容 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·CdS 纳米晶的表征 | 第53-55页 |
| ·CdS 纳米晶光电探测单元的电学性能和光电性能测试 | 第55-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 硕士期间学术成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
