| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目次 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-30页 |
| ·自旋电子学与相关概念 | 第8-15页 |
| ·自旋电子学概况 | 第8-11页 |
| ·相关的重要概念 | 第11-15页 |
| ·与自旋相关的两种效应 | 第15-21页 |
| ·Rashba自旋轨道耦合效应 | 第15-19页 |
| ·自旋过滤效应 | 第19-21页 |
| ·各种磁电阻现象及隧穿磁电阻理论 | 第21-30页 |
| ·磁电阻现象 | 第21-23页 |
| ·隧穿磁电阻的理论 | 第23-30页 |
| 2 NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运研究 | 第30-48页 |
| ·引言 | 第30-33页 |
| ·理论模型 | 第33-36页 |
| ·计算结果与讨论 | 第36-46页 |
| ·不对称的Rashba耦合强度对TMR与FS层和I层厚度的关系的影响 | 第36-38页 |
| ·FS层中Rashba自旋轨道耦合强度不对称时,它与不同自旋状态电子的隧穿系数T的关系 | 第38-39页 |
| ·Rashba耦合强度不对称情况下,隧穿磁电阻随磁矩夹角的变化关系 | 第39-41页 |
| ·分子场不对称情况下,隧穿磁电阻TMR随FS层中Rashba自旋轨道耦合强度的变化关系 | 第41-43页 |
| ·分子场不对称时,不同自旋态电子的隧穿电导与Rashba自旋轨道耦合强度的变化关系 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 3 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 在校期间的科研成果 | 第58页 |
