| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-40页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·温差电基础理论 | 第12-18页 |
| ·塞贝克效应 | 第12-13页 |
| ·帕尔帖效应 | 第13-14页 |
| ·汤姆逊效应 | 第14-15页 |
| ·温差电优值 | 第15页 |
| ·提高温差电材料性能的主要途径 | 第15-18页 |
| ·优化载流子浓度 | 第15-16页 |
| ·降低品格热导率 | 第16-18页 |
| ·温差电材料研究现状 | 第18-30页 |
| ·传统温差电材料 | 第19-22页 |
| ·Bi2Te; | 第19-20页 |
| ·蹄化铅及其合金 | 第20-21页 |
| ·Site合金 | 第21-22页 |
| ·新型温差电材料 | 第22-27页 |
| ·方钻矿类温差电材料 | 第22-23页 |
| ·金属氧化物 | 第23-24页 |
| ·Clathrates笼形化合物 | 第24-25页 |
| ·硅化物 | 第25-26页 |
| ·Half-Heusler合金 | 第26-27页 |
| ·其它新型温差电材料 | 第27页 |
| ·纳米结构温差电材料 | 第27-30页 |
| ·温差电材料的制备工艺现状 | 第30-35页 |
| ·块体温差电材料 | 第30-32页 |
| ·粉末冶金法 | 第31页 |
| ·等离子体烧结法 | 第31页 |
| ·熔体生长法 | 第31页 |
| ·区域熔炼法 | 第31-32页 |
| ·薄膜温差电材料 | 第32-35页 |
| ·化学气相沉积法 | 第32页 |
| ·物理气相沉积法 | 第32-33页 |
| ·分子束外延生长法 | 第33页 |
| ·磁控溅射法 | 第33页 |
| ·闪蒸法 | 第33页 |
| ·电沉积法 | 第33-35页 |
| ·温差电技术的应用 | 第35-38页 |
| ·温差电发电 | 第35-37页 |
| ·温差电制冷 | 第37-38页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第38-40页 |
| 第二章 研究方法 | 第40-48页 |
| ·实验材料及仪器 | 第40-41页 |
| ·实验用药品 | 第40页 |
| ·实验用仪器 | 第40-41页 |
| ·电化学测试 | 第41-43页 |
| ·实验装置 | 第41-42页 |
| ·溶液 | 第42页 |
| ·试片 | 第42-43页 |
| ·阴极极化测试 | 第43页 |
| ·循环伏安测试 | 第43页 |
| ·交流阻抗测试 | 第43页 |
| ·电沉积温差电材料 | 第43-46页 |
| ·电沉积装置 | 第43页 |
| ·溶液 | 第43页 |
| ·试片 | 第43-46页 |
| ·后处理 | 第46页 |
| ·材料性能测试 | 第46页 |
| ·电沉积材料厚度的测量 | 第46页 |
| ·塞贝克系数测试 | 第46页 |
| ·电阻率测试 | 第46页 |
| ·组成、形貌及结构分析 | 第46-47页 |
| ·能谱(EDS)和X射线荧光光谱仪(XRF)分析 | 第46-47页 |
| ·扫描电镜分析 | 第47页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第47页 |
| ·载流子浓度测试 | 第47页 |
| ·BoltzTraP量子计算方法 | 第47-48页 |
| 第二章 Bi_2Te_3基温差电材料的性能计算 | 第48-62页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·量子计算方法 | 第48-52页 |
| ·训一算原理 | 第48-51页 |
| ·训一算模型 | 第51-52页 |
| ·参数设置 | 第52页 |
| ·训一算结果 | 第52-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 元素锡、锑、蹄、硒的电沉积过程研究 | 第62-82页 |
| ·前言 | 第62页 |
| ·研究方法 | 第62-63页 |
| ·电化学测试 | 第62页 |
| ·电化学沉积 | 第62页 |
| ·电沉积溶液的组成 | 第62-63页 |
| ·单组分溶液体系 | 第63-73页 |
| ·纯Bi体系 | 第63-65页 |
| ·纯Sb体系 | 第65-68页 |
| ·纯Te体系 | 第68-71页 |
| ·纯Se体系 | 第71-72页 |
| ·锡、锑、蹄、硒离子电沉积过程比较 | 第72-73页 |
| ·Bi-Sb-Te二兀溶液体系 | 第73-76页 |
| ·Bi-Te-Se二兀溶液体系 | 第76-77页 |
| ·Bi-Sb-Te-Se四兀溶液体系 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜温差电材料的制备工艺研究 | 第82-96页 |
| ·前言 | 第82页 |
| ·研究方法 | 第82-83页 |
| ·电化学测试 | 第82页 |
| ·电沉积装置 | 第82页 |
| ·电沉积溶液 | 第82-83页 |
| ·退火处理 | 第83页 |
| ·电沉积材料的性能测试 | 第83页 |
| ·电沉积材料的表征 | 第83页 |
| ·沉积电位的影响 | 第83-90页 |
| ·沉积电位对Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜组成及结构的影响 | 第84-87页 |
| ·沉积电位对Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜形貌的影响 | 第87-88页 |
| ·沉积电位对电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜性能的影响 | 第88-90页 |
| ·溶液组成的影响 | 第90-93页 |
| ·溶液组成对Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜组成及结构的影响 | 第90-92页 |
| ·溶液组成对Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜性能的影响 | 第92-93页 |
| ·退火温度对Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y薄膜性能的影响 | 第93-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 Cu与Ag掺杂M_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜温差电材料的制备工艺研究 | 第96-108页 |
| ·前言 | 第96页 |
| ·研究方法 | 第96-97页 |
| ·电化学沉积 | 第96页 |
| ·电沉积溶液体系 | 第96-97页 |
| ·退火处理 | 第97页 |
| ·电沉积材料的性能测试 | 第97页 |
| ·电沉积材料的表征 | 第97页 |
| ·溶液组成对电沉积Cu_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜的影响 | 第97-101页 |
| ·溶液组成对电沉积Cu_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜形貌的影响 | 第97-99页 |
| ·溶液组成对电沉积Cu_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜组成的影响 | 第99页 |
| ·溶液组成对电沉积Cu_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜性能的影响 | 第99-101页 |
| ·溶液组成对Ag_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜的影响 | 第101-104页 |
| ·溶液组成对电沉积Ag_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜成分的影响 | 第101页 |
| ·溶液组成对电沉积Ag_xBi_ySb_(2-x-y)Te_z薄膜性能的影响 | 第101-104页 |
| ·Cu, Ag掺杂对Bi_(2-x)Sb_xTe_y能带结构的影响 | 第104-105页 |
| ·退火温度对Ag掺杂Bi_(2-x)Sb_xTe_y薄膜材料性能的影响 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第七章 微区内电沉积P型温差电材料的制备工艺研究 | 第108-114页 |
| ·前言 | 第108页 |
| ·研究方法 | 第108-111页 |
| ·微区电化学沉积P型材料 | 第108-109页 |
| ·电沉积装置 | 第108页 |
| ·电沉积溶液 | 第108-109页 |
| ·试片处理 | 第109页 |
| ·微区制作 | 第109页 |
| ·退火处理 | 第109页 |
| ·微区材料的性能测试 | 第109-110页 |
| ·电沉积材料的表征 | 第110-111页 |
| ·微区尺寸对电沉积材料形貌和组成的影响 | 第111-112页 |
| ·溶液组成对微区内电沉积材料性能的影响 | 第112-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 第八章 结论 | 第114-118页 |
| 参考文献 | 第118-128页 |
| 攻读博士期间发表论文和科研情况 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129页 |
