流态化合成氮化硅的鼓泡床冷模试验与CFD模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| ·我国目前的氮化硅生产概况 | 第8-11页 |
| ·目前氮化硅的生产工艺方法 | 第8-10页 |
| ·目前的氮化硅生产中存在的问题 | 第10-11页 |
| ·流化床反应器的发展与分类 | 第11-18页 |
| ·气固流化床体系及流态化现象 | 第11-12页 |
| ·流态化区域分类及特点 | 第12-15页 |
| ·流化床的压降 | 第15-16页 |
| ·影响流化状态的因素 | 第16-18页 |
| ·论文研究的目的和意义 | 第18-19页 |
| ·论文研究的内容 | 第19-20页 |
| 第2章 鼓泡床冷模试验研究 | 第20-34页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·流化床的设计原则 | 第20-22页 |
| ·设计指导思想 | 第20页 |
| ·影响因素 | 第20-22页 |
| ·冷模实验装置的具体设计 | 第22-27页 |
| ·鼓泡床体的结构确定 | 第22-23页 |
| ·流化速度的确定 | 第23页 |
| ·分布板的设计 | 第23-24页 |
| ·冷态试验流程 | 第24-26页 |
| ·硅粉性质 | 第26-27页 |
| ·冷模实验的阻力特性 | 第27-32页 |
| ·硅粉在鼓泡床中流态化过程的实验观察 | 第27页 |
| ·分布板的空载阻力 | 第27-28页 |
| ·分布板的加载阻力特性 | 第28-29页 |
| ·加载前后的不同床高压降比较 | 第29-31页 |
| ·分布板压降占鼓泡床总压降的比例 | 第31-32页 |
| ·床层高度的膨胀 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 气固两相流数学模型研究及CFD技术 | 第34-41页 |
| ·气固两相流数学模型研究 | 第34-37页 |
| ·概述 | 第34页 |
| ·单颗粒模型 | 第34页 |
| ·小滑移模型 | 第34-35页 |
| ·单流体模型(无滑移模型) | 第35页 |
| ·颗粒轨道模型 | 第35-36页 |
| ·多相流模型 | 第36-37页 |
| ·本研究中流化床数值模型选择 | 第37-38页 |
| ·CFD技术及CFX4.4简介 | 第38-40页 |
| ·CFD技术基本原理 | 第39页 |
| ·CFX-4的系统结构 | 第39-40页 |
| ·本章小节 | 第40-41页 |
| 第4章 鼓泡床操作特性的数值模拟 | 第41-54页 |
| ·鼓泡床几何模型的建立和计算空间网格划分 | 第41-43页 |
| ·喷口结构简化 | 第41-42页 |
| ·分布板及整体建模 | 第42页 |
| ·计算空间网格划分 | 第42-43页 |
| ·计算过程及误差分析 | 第43-44页 |
| ·计算参数及边界条件 | 第43页 |
| ·误差分析 | 第43-44页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第44-50页 |
| ·阻力损失分布规律 | 第44-45页 |
| ·体积分数分布规律 | 第45-47页 |
| ·床内“沟流”现象分析 | 第47-50页 |
| ·直孔分布板与斜孔分布板的比较 | 第50-52页 |
| ·不同床高阻力损失规律的比较 | 第50页 |
| ·斜孔分布板的模拟与实验阻力损失规律比较 | 第50页 |
| ·体积分数分布规律的比较 | 第50-51页 |
| ·分布板附近速度矢量比较 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第5章 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54页 |
| ·展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
