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流态化合成氮化硅的鼓泡床热模试验与CFD模拟研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第 1 章 绪论第9-27页
   ·氮化硅的基本性质、晶体结构与用途第9-12页
     ·氮化硅的性质与性能第9-11页
     ·氮化硅的晶体结构第11-12页
     ·氮化硅的用途第12页
   ·氮化硅的制备方法及其优缺点第12-17页
     ·硅粉直接氮化法第13-14页
     ·碳热还原二氧化硅法第14页
     ·气相反应法第14-15页
     ·液相法第15-16页
     ·高频等离子体化学气相淀积法第16页
     ·激光诱导反应法第16-17页
   ·硅粉直接氮化法制备氮化硅的机理和动力学第17-22页
     ·非流化条件下硅粉直接氮化法生产氮化硅的机理和动力学第17-21页
     ·流化条件下硅粉直接氮化法生产氮化硅的机理和动力学第21-22页
   ·不同工艺参数的变化对硅粉直接氮化制备氮化硅的影响第22-24页
     ·非流化条件下不同工艺参数的变化对硅粉直接氮化制备氮化硅的影响第23-24页
     ·流化条件下不同工艺参数的变化对硅粉直接氮化制备氮化硅的影响第24页
   ·硅粉在流化床反应器中直接氮化制备氮化硅粉体第24-26页
   ·研究内容第26-27页
第 2 章 高温流化床反应装置与试验流程第27-36页
   ·高温实验装置的改造和设计第27-30页
     ·高温实验装置的改造第27-29页
     ·一级预热器第29页
     ·喂料装置第29页
     ·取样器第29-30页
   ·流量计的选型、标定,预热炉、高温炉的升温能力第30-34页
     ·流量计的选型及标定第30-32页
     ·预热器及高温流化床反应器的升温性能第32-34页
   ·整个反应装置气路的清灰第34页
   ·硅粉原料的基本参数第34-35页
     ·硅粉的元素分析第34-35页
   ·小结第35-36页
第 3 章 高温流化床反应器阻力特性与氮化硅合成的研究第36-53页
   ·气固流态化过程、流化床压降第36-38页
     ·气固流态化过程第36页
     ·流化床压降第36-38页
   ·冷态下的阻力特性研究第38-42页
     ·分布板的压降第38页
     ·冷态下料层高度对阻力特性的影响第38-40页
     ·不同加料方式对冷态下阻力特性的影响第40-42页
   ·高温流化床反应器热态下的阻力特性研究第42-46页
     ·不同加料方式对流化床反应器阻力特性的影响第42-44页
     ·温度对高温流化床反应器阻力特性的影响第44-46页
   ·高温流态化直接氮化法制备氮化硅粉体第46-52页
     ·实验流程第46-47页
     ·产物的定量分析方法第47-49页
     ·典型转化曲线第49-50页
     ·氮化硅的形貌分析第50-52页
   ·小结第52-53页
第 4 章 高温流化床反应器中气固多相流的初步模拟研究第53-64页
   ·计算流体力学(CFD)及其软件 CFX-4第53页
   ·气固多相流数学模型第53-54页
   ·高温流化床反应器数值模型选择第54-55页
   ·高温流化床反应器操作特性的 CFD 模拟第55-63页
     ·高温流化床反应器几何建模和计算空间网格划分第55-56页
     ·计算过程及误差分析第56-57页
     ·模拟结果及分析第57-63页
   ·小结第63-64页
第 5 章 结论与展望第64-66页
参考文献第66-70页
致谢第70页

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