| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·有机电子学的简介 | 第13-14页 |
| ·有机电子器件的工作原理 | 第14-18页 |
| ·OLED的基本结构与原理 | 第14-16页 |
| ·OFET器件结构与工作原理 | 第16-17页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第17-18页 |
| ·新型二维纳米材料-石墨烯 | 第18-19页 |
| ·本文选题思路 | 第19-21页 |
| 第二章 理论背景以及计算方法与软件 | 第21-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-23页 |
| ·多粒子体系 | 第22页 |
| ·Born-Oppenheimer近似(绝热近似) | 第22页 |
| ·密度泛函 | 第22-23页 |
| ·两分子间电荷传输理论模型 | 第23页 |
| ·半经验的Marcus理论 | 第23页 |
| ·全量子的Fermi Golden Rule | 第23页 |
| ·电荷传输参数计算方法 | 第23-25页 |
| ·电荷的耦合强度的计算 | 第24页 |
| ·重组能计算 | 第24-25页 |
| ·扩散系数的计算 | 第25-26页 |
| ·简单跳跃近似 | 第25页 |
| ·随机游走模型(动态模拟特卡罗模拟) | 第25-26页 |
| ·爱因斯坦关系式 | 第26页 |
| ·本文中所用到的计算软件 | 第26-28页 |
| ·Materials Studio | 第26页 |
| ·Gaussian | 第26-27页 |
| ·ADF | 第27页 |
| ·DUSHIN | 第27页 |
| ·VASP | 第27-28页 |
| 第三章 有机半导体薄膜中的电荷传输 | 第28-55页 |
| ·有机薄膜迁移率的计算模型 | 第28-36页 |
| ·计算模型与方法 | 第29-31页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第31-35页 |
| ·本节小结 | 第35-36页 |
| ·分子热动力学在迁移率计算中的影响以及各种模拟方法的比较 | 第36-43页 |
| ·计算模型与方法 | 第36-39页 |
| ·计算结果与讨论 | 第39-42页 |
| ·重组能的比较 | 第39-40页 |
| ·电荷转移积分的热扰动与分布 | 第40页 |
| ·跳跃速率的比较 | 第40-41页 |
| ·迁移率的比较 | 第41-42页 |
| ·本节小结 | 第42-43页 |
| ·氮杂并五苯及其衍生物的薄膜电荷传输性质 | 第43-49页 |
| ·实验现象 | 第43-44页 |
| ·理论模拟与分析 | 第44-48页 |
| ·本节小结 | 第48-49页 |
| ·醌系列分子的薄膜电荷传输模拟 | 第49-54页 |
| ·实验部分 | 第49-50页 |
| ·理论模拟方法 | 第50页 |
| ·理论模拟结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·本节小结 | 第53-54页 |
| ·本章总结 | 第54-55页 |
| 第四章 改性石墨烯的第一性原理研究 | 第55-82页 |
| ·掺杂石墨烯的3N规律 | 第55-64页 |
| ·计算模型,方法与软件 | 第55-56页 |
| ·理论计算结果 | 第56-58页 |
| ·掺杂石墨烯3N规律的原因-理论分析与讨论 | 第58-63页 |
| ·本节小结 | 第63-64页 |
| ·类石墨烯CN聚合物的电学性质研究 | 第64-72页 |
| ·理论模拟模型与方法 | 第64-65页 |
| ·g-C_3N_4的电学性质 | 第65-67页 |
| ·不同CN聚合物的模拟 | 第67-69页 |
| ·异质结 | 第69-71页 |
| ·本节小结 | 第71-72页 |
| ·CH_3NH_2分子在石墨烯表面的物理吸附 | 第72-76页 |
| ·气体吸附位 | 第72页 |
| ·气体吸附距离与石墨烯能带带隙之间的关系 | 第72-74页 |
| ·气体吸附距离与Dirac点离开费米能级之间的关系 | 第74页 |
| ·气体吸附距离,密度与石墨烯功函数之间的关系 | 第74-75页 |
| ·本节小结 | 第75-76页 |
| ·化学修饰石墨烯的光电响应解释 | 第76-82页 |
| ·实验部分--步骤与现象 | 第76-77页 |
| ·理论模拟分析与讨论 | 第77-81页 |
| ·本节小结 | 第81-82页 |
| 第五章总结与展望 | 第82-84页 |
| ·总结 | 第82-83页 |
| ·展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-91页 |
| 附录 | 第91-98页 |
| 硕士期间研究成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
