| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| §1.1 微电子学的发展与纳电子学的诞生 | 第11-13页 |
| §1.1.1 微电子学的发展历程 | 第11-12页 |
| §1.1.2 纳电子学的诞生与量子效应 | 第12-13页 |
| §1.2 非易失性存储器的发展及前景 | 第13-20页 |
| §1.2.1 最通用的非易失性存储器—闪存 | 第13-16页 |
| §1.2.2 闪存的进化—纳米晶硅浮栅存储器 | 第16-18页 |
| §1.2.3 一些新型非易失性存储器 | 第18-20页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 纳米硅浮栅MOS结构的电荷存储特性 | 第24-43页 |
| §2.1 引言 | 第24-25页 |
| §2.2 纳米硅浮栅MOS结构的电荷存储原理 | 第25-26页 |
| §2.3 纳米硅浮栅MOS结构的制备与表征 | 第26-29页 |
| §2.4 单层纳米硅浮栅MOS结构的电荷存储特性 | 第29-37页 |
| §2.4.1 纳米硅尺寸对电荷存储的影响 | 第29-31页 |
| §2.4.2 纳米硅浮栅MOS结构的G-V特性分析 | 第31-37页 |
| §2.5 双层纳米硅浮栅MOS结构的电荷存储特性 | 第37-40页 |
| §2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 纳米硅浮栅MOS结构非常规C-V特性分析 | 第43-57页 |
| §3.1 引言 | 第43-44页 |
| §3.2 稳态与深耗尽的问题研究 | 第44-47页 |
| §3.3 电极上的电荷侧向铺伸的问题研究 | 第47-49页 |
| §3.4 回滞曲线顺逆时针转变的问题研究 | 第49-52页 |
| §3.5 步进快速热退火消除C-V曲线耗尽区的畸变问题研究 | 第52-55页 |
| §3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 NOR矩阵存储单元间的disturbs及外围电路设计考虑 | 第57-68页 |
| §4.1 引言 | 第57-58页 |
| §4.2 纳米硅浮栅存储单元的操作电压选取 | 第58-60页 |
| §4.3 NOR矩阵中存储单元间的disturbs问题探究 | 第60-63页 |
| §4.4 NOR功能矩阵的外围电路框架设计 | 第63-66页 |
| §4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第68-71页 |
| §5.1 研究工作总结 | 第68-69页 |
| §5.2 工作展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表论文 | 第72-73页 |
