| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·光电化学研究现状 | 第11-13页 |
| ·本论文研究的目的及意义 | 第13-14页 |
| ·本文的研究内容及研究方法 | 第14-15页 |
| 第2章 金属氧化物薄膜的制备和表征 | 第15-47页 |
| ·金属氧化膜的主要制备方法 | 第15-18页 |
| ·金属氧化物薄膜制备的实验试剂与仪器 | 第18页 |
| ·实验试剂 | 第18页 |
| ·实验仪器 | 第18页 |
| ·溶胶的制备方法 | 第18-19页 |
| ·氢氧化铁胶体的制备 | 第18-19页 |
| ·氧化铬胶体的制备 | 第19页 |
| ·载体基片的制备 | 第19页 |
| ·溶胶覆膜 | 第19页 |
| ·金属氧化物薄膜的表征 | 第19-20页 |
| ·薄膜制备时的影响因素确定方案 | 第20页 |
| ·金属氧化膜薄膜制备单因素影响实验数据分析与结论 | 第20-30页 |
| ·三氧化铁与无水乙醇比例的范围的确定 | 第20-22页 |
| ·氧化铁制备时溶胶静置时间范围的确定 | 第22-24页 |
| ·氧化铁薄膜制备时导电玻璃基片在溶胶中的浸没时间范围的确定 | 第24-25页 |
| ·氧化铁薄膜制备时马弗炉中灼烧温度范围的确定 | 第25-26页 |
| ·氧化铬薄膜制备时硝酸铬的浓度范围的确定 | 第26-27页 |
| ·氧化铬薄膜制备时溶胶静置时间范围的确定 | 第27-28页 |
| ·氧化铬薄膜制备时导电玻璃基片在溶胶中的浸没实验范围的确定 | 第28-29页 |
| ·氧化铬薄膜制备时马弗炉中灼烧温度范围的确定 | 第29-30页 |
| ·正交实验条件的确定与结果分析 | 第30-47页 |
| ·正交实验的确定 | 第30-31页 |
| ·正交实验数据分析 | 第31-45页 |
| ·薄膜制备实验结论 | 第45-47页 |
| 第3章 金属氧化物薄膜的光电压测量 | 第47-52页 |
| ·光电压测量方法 | 第47-48页 |
| ·光电压测量实验总体流程 | 第47-48页 |
| ·光电压测量实验待测样品制备 | 第48页 |
| ·光电压测量实验数据及数据分析 | 第48-52页 |
| ·氧化铁薄膜光电压测量数据及分析 | 第48-50页 |
| ·氧化铬薄膜光电压测量数据及分析 | 第50-52页 |
| 第4章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |