| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| ·NEA光电阴极的发展概述 | 第7页 |
| ·GaAs光电阴极的研究现状 | 第7-10页 |
| ·GaAs光电阴极的制备工艺 | 第8-9页 |
| ·GaAs光电阴极的表面模型 | 第9-10页 |
| ·GaAs光电阴极的应用 | 第10页 |
| ·本文的研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 2 GaAs光电阴极的理论基础 | 第13-21页 |
| ·GaAs材料基础 | 第13-17页 |
| ·GaAs晶体 | 第13-14页 |
| ·GaAs阴极的表面结构和表面态 | 第14-16页 |
| ·GaAs表面吸附的研究 | 第16页 |
| ·表面能带弯曲对逸出功的影响 | 第16-17页 |
| ·GaAs光电阴极的光电发射过程 | 第17-21页 |
| ·光电子激发 | 第17-18页 |
| ·光电子向阴极表面的输运 | 第18页 |
| ·光电子在阴极表面的势垒隧穿 | 第18-21页 |
| 3 基于[GaAs(Zn)-Cs]:O-Cs模型的研究 | 第21-30页 |
| ·[GaAs(Zn):Cs]:O-Cs模型的介绍 | 第21-24页 |
| ·[GaAs(Zn):Cs]:O-Cs模型结构 | 第24-30页 |
| ·GaAs(2×4)的表面重构模型 | 第24-26页 |
| ·Cs吸附于GaAs(2×4)重构表面的模型 | 第26-30页 |
| 4 基于[GaAs(Zn)-Cs]:O-Cs模型的库伦计算 | 第30-38页 |
| ·Cs、O激活过程 | 第30-32页 |
| ·[Ga_(N-1)As_N(Zn)]-Cs偶极层的势能计算 | 第32-36页 |
| ·构建模型 | 第32-33页 |
| ·模拟计算 | 第33-35页 |
| ·计算结果及讨论 | 第35-36页 |
| ·误差分析 | 第36-38页 |
| 5 基于GaAs(2×4)重构模型的第一性原理计算 | 第38-46页 |
| ·关于第一性原理的基本理论 | 第38-40页 |
| ·重构模型的能带结构和态密度 | 第40-43页 |
| ·GaAs晶体的能带和态密度计算 | 第40-42页 |
| ·GaAsβ_2型(2×4)重构表面的态密度计算 | 第42页 |
| ·Zn掺杂后GaAs(2×4)重构表面的态密度计算 | 第42-43页 |
| ·Cs吸附在Zn掺杂的GaAs(2×4)重构表面的态密度计算 | 第43页 |
| ·Zn和Cs在模型中的电荷变化 | 第43-46页 |
| ·Zn掺杂前后的电荷变化 | 第43-44页 |
| ·Cs吸附前后的电荷变化 | 第44页 |
| ·Cs的吸附能 | 第44-46页 |
| 6 结束语 | 第46-47页 |
| ·本文工作总结 | 第46页 |
| ·有待进一步开展的工作 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
