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基于NAND Flash的星载固态存储技术研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·星载固态存储器研究背景第7-8页
   ·星载固态存储器国内外发展状况第8-11页
     ·星载固态存储器国外发展状况第8-9页
     ·星载固态存储器国内发展状况第9-11页
   ·论文主要工作和章节安排第11-13页
     ·论文的主要工作第11页
     ·论文的创新之处第11页
     ·章节安排第11-13页
第二章 星载固态存储器技术综述第13-23页
   ·NAND 型闪存技术第13-18页
     ·性能介绍第14页
     ·接口说明第14-16页
     ·容量特性第16页
     ·位翻转问题第16页
     ·坏块管理问题第16-17页
     ·软件驱动支持第17-18页
     ·可靠性和寿命第18页
   ·抗空间辐射效应影响技术第18-20页
     ·空间辐射效应概况第18页
     ·总剂量效应第18-19页
     ·单粒子翻转效应第19页
     ·空间辐射危害应对策略第19-20页
   ·BIT 技术第20-23页
     ·测试性设计技术第20-21页
     ·BIT 技术发展第21-23页
第三章 NAND FLASH 星载固态存储器数据存储单元设计第23-51页
   ·硬件设计第23-35页
     ·总线控制器和接口设计第24-26页
     ·控制系统设计第26-28页
     ·数据装载控制电路的设计第28-30页
     ·自动读取控制电路的设计第30-31页
     ·LVDS 通讯接口设计第31-34页
     ·数据分析第34-35页
   ·BIT 设计第35-44页
     ·系统 BIT 组成第35-37页
     ·关键性能监测功能的 BIT 设计第37-41页
     ·故障检测与隔离的 BIT 设计第41-44页
   ·软件设计第44-51页
     ·接收总线数据第45-46页
     ·接收数据存储设计第46-47页
     ·存储数据发送设计第47-49页
     ·数据存储区擦除设计第49页
     ·FLASH 自检功能设计第49页
     ·数据存储区坏块管理第49-51页
第四章 数据存储单元仿真与验证第51-57页
   ·样机产品第51-52页
   ·设计仿真第52-55页
     ·Flash 读时序仿真第52页
     ·Flash 页编程时序仿真第52-53页
     ·Flash 块擦除时序仿真第53-54页
     ·LVDS 控制时序仿真第54-55页
   ·测试验证第55-57页
第五章 结束语第57-59页
   ·工作总结第57页
   ·下一步工作设想第57-59页
致谢第59-61页
参考文献第61-64页

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