| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 目录 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-39页 |
| ·纳米技术概述 | 第16页 |
| ·碳纳米管综述 | 第16-17页 |
| ·硅纳米线概述 | 第17-25页 |
| ·硅材料综述 | 第17-18页 |
| ·硅纳米线综述 | 第18-21页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第21-25页 |
| ·硅纳米线的光学和电学特性研究现状 | 第25页 |
| ·硅纳米线阵列的光学特性表征 | 第25-30页 |
| ·硅纳米线的电学表征 | 第30-31页 |
| ·本论文的主要工作和意义 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 硅纳米线的光谱特性和电学特性丛本理论 | 第39-63页 |
| ·量子限制及其效应(Quantum confinement and its effects) | 第39-44页 |
| ·量子点,量子线,量子阱 | 第39-40页 |
| ·丛于量子限制效应起作用下的态密度 | 第40-41页 |
| ·纳米结构的带隙 | 第41-44页 |
| ·硅纳米线的光致发光特性基本原理 | 第44-47页 |
| ·肖特基二极管(SBD)的工作原理 | 第47-62页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第48-51页 |
| ·表面态和金属功函数对势垒高度的影响 | 第51-55页 |
| ·肖特基二极管势垒高度的提取 | 第55-56页 |
| ·肖特基二极管的电子输运机理 | 第56-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第三章 硅纳米线阵列的制备 | 第63-76页 |
| ·实验仪器与设备 | 第63-65页 |
| ·硅纳米线阵列的制备 | 第65-69页 |
| ·影响硅纳米线阵列形成的关键因素 | 第69-73页 |
| ·硅纳米线阵列形貌和结构表征 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第四章 硅纳米线阵列光学特性研究 | 第76-97页 |
| ·硅纳米线阵列的反射光谱 | 第76-80页 |
| ·硅纳米线的拉曼散射 | 第80-83页 |
| ·硅纳米线的光致发光谱 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 第五章 PtSi/p-SiNWs/Si/Al二极管的制备 | 第97-120页 |
| ·PtSi合金薄膜层的制备方法 | 第98-100页 |
| ·离子溅射法制备PtSi薄膜及影响因数研究 | 第100-108页 |
| ·PtSi薄膜制备 | 第100-102页 |
| ·退火温度对PtSi薄膜的影响 | 第102-104页 |
| ·溅射时间对PtSi薄膜厚度的影响 | 第104-108页 |
| ·背电极的制备及特性研究 | 第108-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-120页 |
| 第六章 丛于结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al的肖特丛二极管的特性研究 | 第120-150页 |
| ·肖特丛二极管的理想电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性 | 第120-122页 |
| ·结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特基二极管电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性 | 第122-125页 |
| ·结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管参数提取 | 第125-133页 |
| ·肖特丛二极管(SBD)参数提取的方法 | 第126-129页 |
| ·结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al SBD三个重要参数的提取 | 第129-133页 |
| ·温度对结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管的参数的影响 | 第133-136页 |
| ·界面层和串联电阻对器件特性的影响 | 第136-140页 |
| ·电流输运机制 | 第140-143页 |
| ·光对结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管的影响 | 第143-145页 |
| ·本章小结 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-150页 |
| 第七章 结论与展望 | 第150-152页 |
| 作者在攻读博上学位期间的主要工作 | 第152-153页 |
| 致谢 | 第153页 |
