| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·纳米材料 | 第12-16页 |
| ·纳米材料的定义及分类 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的性质 | 第13-15页 |
| ·纳米材料的应用 | 第15-16页 |
| ·上转换发光材料 | 第16-22页 |
| ·上转换发光材料的定义及发光机理 | 第16-20页 |
| ·上转换发光材料的制备方法 | 第20-21页 |
| ·上转换发光材料的分类 | 第21-22页 |
| ·半导体发光材料 | 第22-27页 |
| ·半导体材料的发光特点 | 第22-24页 |
| ·半导体材料的分类 | 第24-25页 |
| ·半导体发光材料的应用 | 第25-27页 |
| ·选题依据及主要工作 | 第27-30页 |
| 第2章 KY_3F_(10):Yb,Tm纳米粒子的制备及发光特性研究 | 第30-45页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验部分 | 第31-34页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第31-32页 |
| ·实验步骤与流程 | 第32-33页 |
| ·表征仪器与方法 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-44页 |
| ·X-射线衍射(XRD)分析 | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第35页 |
| ·傅里叶红外光谱(FT-IR)分析 | 第35-36页 |
| ·Yb~(3+)浓度改变对KY_3F_(10):Yb,Tm纳米粒子上转换发光性能的影响 | 第36-38页 |
| ·Tm~(3+)浓度改变对KY_3F_(10):Yb,Tm纳米粒子上转换发光性能的影响 | 第38-40页 |
| ·样品上转换发光强度与泵浦功率的关系 | 第40-41页 |
| ·上转换发光机理分析 | 第41-43页 |
| ·色坐标分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 KY_3F_(10):Yb,Ho纳米粒子的制备及发光特性与形貌分析 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第45-46页 |
| ·实验步骤 | 第46-47页 |
| ·表征仪器与方法 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-57页 |
| ·Yb~(3+)浓度改变对KY_3F_(10):Yb,Ho纳米粒子上转换发光性能的影响 | 第47-49页 |
| ·Ho~(3+)浓度改变对KY_3F_(10):Yb,Ho纳米粒子上转换发光性能的影响 | 第49-50页 |
| ·样品上转换发光强度与泵浦功率的关系 | 第50-52页 |
| ·上转换发光机理分析 | 第52-53页 |
| ·色坐标分析 | 第53-54页 |
| ·形貌分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 ZnS:Cu纳米粒子的制备及发光特性研究 | 第58-66页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验部分 | 第58-60页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第58-59页 |
| ·实验步骤与流程 | 第59-60页 |
| ·表征仪器与方法 | 第60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-65页 |
| ·配合物的热分析 | 第60-62页 |
| ·X-射线衍射(XRD)分析 | 第62-63页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第63页 |
| ·样品的光致发光特性 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 结论和展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读学位期间公开发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
