| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究意义与课题背景 | 第10-13页 |
| ·光子集成的优越性 | 第10-11页 |
| ·实现光子集成的困难 | 第11-12页 |
| ·光子集成技术的目标 | 第12页 |
| ·ROADM的PIC设计实例 | 第12-13页 |
| ·研究内容与结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 InP基单片光子集成技术 | 第16-35页 |
| ·五种常用的光子集成技术 | 第16-26页 |
| ·Butt-joint光子集成技术 | 第16-18页 |
| ·SAG光子集成技术 | 第18-19页 |
| ·QWI光子集成技术 | 第19-22页 |
| ·OQW光子集成技术 | 第22-24页 |
| ·ATG光子集成技术 | 第24-26页 |
| ·光子集成技术的混合运用 | 第26-29页 |
| ·SAG与 Butt-joint混合运用 | 第26-27页 |
| ·ATG与 QWI混合运用 | 第27-28页 |
| ·SAG，QWI与 ATG混合运用 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第三章 楔形结构在 ATG集成技术中的应用与性能分析 | 第35-57页 |
| ·一种新的ATG光子集成技术的提出 | 第35-39页 |
| ·垂直耦合双波导结构集成技术简介 | 第35-37页 |
| ·新的ATG光子集成技术的构想 | 第37-38页 |
| ·工艺基础—楔形结构的制备 | 第38-39页 |
| ·楔形在 ATG结构 PIN探测器集成器件中的应用 | 第39-46页 |
| ·楔形在 ATG结构 PIN探测器集成器件中的性能分析 | 第39-43页 |
| ·楔形耦合器的特性分析 | 第43-45页 |
| ·带楔形耦合器的ATG结构 PIN探测器集成器件的制造工序探讨 | 第45-46页 |
| ·单模光纤波导的设计 | 第46-53页 |
| ·光纤与波导耦合的理论分析 | 第46-49页 |
| ·光纤波导设计及其对准容差分析 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第四章 MMI-MZI型 InP/InGaAsP光开关的设计 | 第57-71页 |
| ·光开关简介 | 第57-59页 |
| ·2×2光开关功能设计及相关说明 | 第57-58页 |
| ·MMI-MZI型光开关的工作原理 | 第58-59页 |
| ·MMI-MZI型 InP/InGaAsP光开关的设计 | 第59-67页 |
| ·光开关外延层的设计 | 第59-60页 |
| ·光开关传输波导的设计 | 第60-63页 |
| ·光开关的MMI设计 | 第63-65页 |
| ·光开关状态的设计 | 第65-67页 |
| ·光开关的制造容差 | 第67-70页 |
| ·MMI长度变化对光开关的影响 | 第67-68页 |
| ·光开关宽度变化对光开关的影响 | 第68页 |
| ·两侧波导宽度不对称对光开关的影响 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 光开关的制备与测试 | 第71-84页 |
| ·光开关波导材料的生长 | 第71-72页 |
| ·外延片的设计与制备 | 第71-72页 |
| ·光开关的加工 | 第72-79页 |
| ·掩膜版的绘制与制备 | 第72-74页 |
| ·光波导的干法刻蚀 | 第74-77页 |
| ·光开关电极的制作 | 第77页 |
| ·后续工艺—侧面处理 | 第77-79页 |
| ·后续工艺—端面处理 | 第79页 |
| ·光开关的测试 | 第79-82页 |
| ·光开关测试指标 | 第79-80页 |
| ·光开关测试装置 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 附录1 与 InP匹配的四元系 Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)材料的折射率计算 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
