| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第1章 绪 论 | 第14-28页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·超晶格中的声子-极化激元模 | 第15-21页 |
| ·半导体量子阱和超晶格中的激子态 | 第21-24页 |
| ·二维激子 | 第21-22页 |
| ·退耦近似下量子阱和超晶格中的激子 | 第22-24页 |
| ·本文的研究背景及意义 | 第24-26页 |
| ·本文研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 两耦合半无限超晶格中的局域界面声子-极化激元模 | 第28-43页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·模型与公式 | 第29-32页 |
| ·数值结果和分析 | 第32-42页 |
| ·含真空缺陷层无限超晶格中的局域界面声子-极化激元模 | 第32-37页 |
| ·含三元合金缺陷层无限超晶格中的局域界面声子-极化激元模 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 含结构缺陷有限超晶格中界面声子-极化激元模 | 第43-59页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·模型与公式 | 第43-48页 |
| ·数值结果和分析 | 第48-58页 |
| ·组份层厚度对界面极化激元模的影响 | 第48-52页 |
| ·缺陷层厚度对界面极化激元模的影响 | 第52页 |
| ·非剩余射线区内的界面极化激元模 | 第52-54页 |
| ·辐射极化激元模与非辐射极化激元模 | 第54-56页 |
| ·缺陷层Al_xGa_1-x)As含Al 浓度对界面极化激元模的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 覆盖层为三元合金半无限超晶格中的表面声子-极化激元模 | 第59-70页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·模型与公式 | 第59-62页 |
| ·数值结果和分析 | 第62-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第5章 含结构缺陷超晶格中的局域Wannier激子 | 第70-80页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·模型与公式 | 第70-74页 |
| ·数值结果和分析 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-95页 |
| 附录 A 攻读学位期间发表与待发表的学术论文 目录 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
