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In/Sb掺杂SnO2纳米薄膜的制备及气敏特性研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
1 绪论第7-17页
   ·气敏传感器的研究意义第7页
   ·半导体气敏传感器的研究现状与发展趋势第7-9页
   ·气敏传感器的气敏机理和特征参数第9-13页
   ·SnO_2的性质与其气敏元件类型第13页
   ·纳米SnO_2薄膜的优势与制备方法第13-15页
   ·本文选题第15-17页
2 溶胶-凝胶法制备SnO_2薄膜的组分研究第17-33页
   ·溶胶-凝胶制备SnO_2薄膜的主要原料和实验设备第17页
   ·SnO_2薄膜试样的制备过程第17-26页
   ·溶胶组分IN 的掺杂量研究第26-32页
   ·本章小结第32-33页
3 SnO_2气敏薄膜制备的工艺研究第33-43页
   ·薄膜制备镀膜层数研究第33-37页
   ·薄膜制备热处理温度研究第37-41页
   ·SnO_2:SB:In 薄膜的制备第41-42页
   ·本章小结第42-43页
4 SnO_2:SB:In 薄膜的气敏特性研究第43-49页
   ·气敏测试系统简介第43-44页
   ·SN02:SB:In 薄膜气敏特性第44-48页
   ·本章小结第48-49页
5 总结与展望第49-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-56页

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