Hg系硫化物的高压电学和光学性质研究
| 论文提要 | 第1-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-18页 |
| ·元素和化合物高压研究的背景 | 第9-10页 |
| ·HG 系硫化物高压研究的背景 | 第10-15页 |
| ·HgS 高压电学研究的背景 | 第11-13页 |
| ·HgSe 高压电学研究的背景 | 第13-14页 |
| ·HgTe 高压电学研究的背景 | 第14-15页 |
| ·HG 系硫化物光学性质研究的背景 | 第15-16页 |
| ·论文的选题目的和意义 | 第16-17页 |
| ·本论文各部分的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第18-33页 |
| ·密度泛函理论基本概念 | 第19-21页 |
| ·从波函数到密度泛函 | 第19-20页 |
| ·密度泛函的理论基础 | 第20页 |
| ·Kohn-Sham 方程：有效单体理论 | 第20-21页 |
| ·交换关联项的处理 | 第21-23页 |
| ·LDA 方法 | 第21-23页 |
| ·GGA 方法 | 第23页 |
| ·密度泛函理论的数值计算方法 | 第23-25页 |
| ·状态密度在BRILLOUIN ZONE 的表示 | 第25-26页 |
| ·MONKHORST-PACK点取样和收敛性检验 | 第26-28页 |
| ·Monkhorst-Pack 点取样 | 第26-27页 |
| ·收敛性检验和有限基修正 | 第27-28页 |
| ·固体中的介电响应理论 | 第28-33页 |
| ·基本光学常数 | 第28-29页 |
| ·光学常数的色散 | 第29-33页 |
| 第三章 HG 系硫化物的高压电学性质 | 第33-50页 |
| ·高压电学测量方法 | 第33-35页 |
| ·测量微电路在金刚石压砧上的集成 | 第35-39页 |
| ·金属钼薄膜的溅射 | 第35-36页 |
| ·钼薄膜的图形化 | 第36-37页 |
| ·绝缘层的制备 | 第37-39页 |
| ·HGS 的高压电学性质研究 | 第39-43页 |
| ·α-HgS 和β-HgS 高压电导率测量 | 第39-41页 |
| ·朱砂相结构HgS 的带隙与压力的关系 | 第41-43页 |
| ·HGSE的高压电学性质研究 | 第43-46页 |
| ·HgSe 的高压电导率的测量 | 第43-44页 |
| ·朱砂相HgSe 的带隙与压力的关系 | 第44-46页 |
| ·HGTE的电学性质研究 | 第46-48页 |
| ·高压下HgTe 的电导率测量 | 第46-47页 |
| ·朱砂相结构的 HgTe 的带隙与压力的关系 | 第47-48页 |
| ·三个样品实验结果的比较 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 HG 系硫化物的高压光学性质 | 第50-69页 |
| ·HGS 高压电子结构和光学性质计算 | 第51-57页 |
| ·HgS 能带结构的计算 | 第51-55页 |
| ·HgS 高压光学性质的计算 | 第55-57页 |
| ·HGSE高压电子结构和光学性质计算 | 第57-62页 |
| ·HgSe 能带结构的计算 | 第57-61页 |
| ·HgSe 高压光学性质的计算 | 第61-62页 |
| ·HGTE高压电子结构和光学性质计算 | 第62-67页 |
| ·HgTe 能带结构的计算 | 第62-65页 |
| ·HgTe 光学性质的计算 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| ·结构转变的顺序 | 第67-68页 |
| ·朱砂相结构的带隙与压力的关系 | 第68页 |
| ·光学性质计算结果 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-72页 |
| ·本工作的总结 | 第69-70页 |
| ·发展了高压电学测量技术 | 第69页 |
| ·高压下原位测量了 Hg 系硫化物的电导率 | 第69-70页 |
| ·计算了Hg 系硫化物的高压光学性质 | 第70页 |
| ·本工作的展望 | 第70-72页 |
| ·Hg 系硫化物的高压光学性质的测量 | 第70页 |
| ·Hg 系三元硫化物的电学和光学性质的研究 | 第70-71页 |
| ·Hg 系硫化物的高压电磁性质研究 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 攻读博士期间发表的文章 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 作者简历 | 第84-85页 |
| 摘要 | 第85-88页 |
| ABSTRACT | 第88-91页 |
