| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 绪论 | 第10-20页 |
| Ⅰ 金刚石薄膜的研究现状 | 第10-16页 |
| Ⅱ 本论文的研究目的 | 第16-17页 |
| Ⅲ 本论文中金刚石薄膜的制备设备 | 第17-19页 |
| Ⅳ 本论文中使用的检测手段 | 第19页 |
| Ⅴ 本论文结构 | 第19-20页 |
| 1.金刚石薄膜在Si基体上成核时期的TEM分析发 | 第20-34页 |
| ·BEN过程后的成核分析 | 第20-23页 |
| ·BEN+生长的金刚石薄膜的成核分析 | 第23-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 2 核生长过程金刚石薄膜的分析 | 第34-47页 |
| ·样品的制备参数 | 第34-36页 |
| ·样品的SEM分析 | 第36-38页 |
| ·样品的TEM分析 | 第38-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 3 C-H等离子体体系中生长10 h的金刚石薄膜 | 第47-65页 |
| ·样品的制备参数 | 第47页 |
| ·样品的形貌 | 第47-52页 |
| ·Raman分析 | 第52页 |
| ·样品的TEM分析 | 第52-59页 |
| ·薄膜中的位错环缺陷 | 第59-61页 |
| ·样品中的非正常生长情况 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 4 C-H-N等离子体体系中生长10 h的金刚石薄膜 | 第65-81页 |
| ·样品的制备参数 | 第65页 |
| ·样品的形貌 | 第65-69页 |
| ·Raman光谱分析 | 第69页 |
| ·样品的TEM分析 | 第69-75页 |
| ·薄膜中的位错环缺陷 | 第75-76页 |
| ·样品中的非正常生长情况 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 5 C-O-H等离子体体系中生长10h的金刚石薄膜 | 第81-95页 |
| ·金刚石薄膜制备参数 | 第81页 |
| ·样品的形貌 | 第81-84页 |
| ·Raman光谱分析 | 第84-85页 |
| ·样品的TEM分析 | 第85-91页 |
| ·薄膜中的位错环 | 第91页 |
| ·样品中的非金刚石结构 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 6 金刚石薄膜的Raman光谱分析 | 第95-111页 |
| ·Raman光谱中的缺陷荧光 | 第95-96页 |
| ·BEN过程之后基体的Raman光谱 | 第96-98页 |
| ·样品A(C-H)的Raman光谱分析 | 第98-102页 |
| ·样品B(C-H-N)的Raman光谱分析 | 第102-105页 |
| ·样品C(C-O-H)的Raman光谱分析 | 第105-108页 |
| ·薄膜生长过程中的三类样品的Raman光谱比较 | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-121页 |
| 附录 | 第121-142页 |
| 附录A 金刚石晶粒中的孪晶以及TEM衍射花样分析 | 第121-134页 |
| 附录B 沿不同轴旋转的∑3孪晶的晶向关系 | 第134-142页 |
| 创新点摘要 | 第142-143页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第143-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |