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SiGe RFIC宽带低噪声放大器的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 引言第9-15页
   ·课题背景第9-10页
   ·SiGe HBT 和LNA 的研究现状第10-12页
   ·论文的主要难点及工作第12-14页
   ·论文的内容安排第14-15页
第二章 SiGe HBT 的基本原理与性能分析第15-27页
   ·SiGe 材料的优点第15-16页
   ·SiGe 材料性质和特点第16-19页
   ·SiGe HBT 性能改进分析第19-24页
   ·SiGe HBT 的常用结构第24-27页
第三章 SiGe HBT 分析和设计第27-51页
   ·SiGe HBT 的主要参数和指标第27-31页
   ·SiGe HBT 的纵向仿真和优化第31-42页
   ·SiGe HBT 的结构讨论第42-49页
   ·SiGe HBT 的横向结构的确定第49-50页
   ·器件结构总结第50-51页
第四章 低噪声放大器电路基本原理第51-64页
   ·放大器的S 参数和2 端口网络第51-52页
   ·放大器端口噪声分析第52-55页
   ·史密斯圆图第55-57页
   ·低噪声放大器的功率增益第57-60页
   ·低噪声放大器的稳定性分析第60-61页
   ·低噪声放大器的线性度第61-62页
   ·放大器的带宽分析第62-64页
第五章 宽带低噪声放大器电路的分析和设计第64-81页
   ·LNA 结构分析第64-66页
   ·负反馈网络分析第66-68页
   ·宽带低噪声放大器的设计与仿真指标第68-69页
   ·RFIC 宽带低噪声放大器的电路结构第69-80页
   ·电路结构总结第80-81页
第六章 低噪声放大器工艺讨论与版图设计第81-85页
   ·无源器件的讨论第81-83页
   ·SiGe 低噪声放大器版图第83-85页
第七章 结论第85-86页
致谢第86-87页
参考文献第87-90页
附录第90-92页
攻硕期间取得的研究成果第92-93页
个人简历第93-94页

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