SiGe RFIC宽带低噪声放大器的研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 引言 | 第9-15页 |
·课题背景 | 第9-10页 |
·SiGe HBT 和LNA 的研究现状 | 第10-12页 |
·论文的主要难点及工作 | 第12-14页 |
·论文的内容安排 | 第14-15页 |
第二章 SiGe HBT 的基本原理与性能分析 | 第15-27页 |
·SiGe 材料的优点 | 第15-16页 |
·SiGe 材料性质和特点 | 第16-19页 |
·SiGe HBT 性能改进分析 | 第19-24页 |
·SiGe HBT 的常用结构 | 第24-27页 |
第三章 SiGe HBT 分析和设计 | 第27-51页 |
·SiGe HBT 的主要参数和指标 | 第27-31页 |
·SiGe HBT 的纵向仿真和优化 | 第31-42页 |
·SiGe HBT 的结构讨论 | 第42-49页 |
·SiGe HBT 的横向结构的确定 | 第49-50页 |
·器件结构总结 | 第50-51页 |
第四章 低噪声放大器电路基本原理 | 第51-64页 |
·放大器的S 参数和2 端口网络 | 第51-52页 |
·放大器端口噪声分析 | 第52-55页 |
·史密斯圆图 | 第55-57页 |
·低噪声放大器的功率增益 | 第57-60页 |
·低噪声放大器的稳定性分析 | 第60-61页 |
·低噪声放大器的线性度 | 第61-62页 |
·放大器的带宽分析 | 第62-64页 |
第五章 宽带低噪声放大器电路的分析和设计 | 第64-81页 |
·LNA 结构分析 | 第64-66页 |
·负反馈网络分析 | 第66-68页 |
·宽带低噪声放大器的设计与仿真指标 | 第68-69页 |
·RFIC 宽带低噪声放大器的电路结构 | 第69-80页 |
·电路结构总结 | 第80-81页 |
第六章 低噪声放大器工艺讨论与版图设计 | 第81-85页 |
·无源器件的讨论 | 第81-83页 |
·SiGe 低噪声放大器版图 | 第83-85页 |
第七章 结论 | 第85-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-90页 |
附录 | 第90-92页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第92-93页 |
个人简历 | 第93-94页 |