| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 目录 | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·相变存储器 | 第11-16页 |
| ·相变存储器的发展历史 | 第11页 |
| ·相变存储器的研究现状 | 第11-12页 |
| ·相变存储器的存储原理 | 第12-13页 |
| ·相变存储器的状态变化过程 | 第13-14页 |
| ·相变存储器的基本结构 | 第14-16页 |
| ·相变存储器的相变材料体系 | 第16-18页 |
| ·相变存储器的器件模拟 | 第18-21页 |
| ·器件模拟概论 | 第18-19页 |
| ·材料的相变过程模拟 | 第19-20页 |
| ·相变存储器的电学和传热学模拟 | 第20页 |
| ·相变存储器的电路模型 | 第20-21页 |
| ·相变存储器的制造工艺技术 | 第21-24页 |
| ·相变存储器的制造工艺导论 | 第21-22页 |
| ·化学机械抛光 | 第22-24页 |
| ·湿法刻蚀工艺 | 第24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-25页 |
| 第二章 相变存储器的器件模拟 | 第25-47页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·相变存储器的参数模型 | 第25-30页 |
| ·电学参数模型 | 第25-27页 |
| ·传热学参数模型 | 第27页 |
| ·相变过程模型 | 第27-29页 |
| ·有限元法 | 第29页 |
| ·模拟的器件结构及其器件参数 | 第29-30页 |
| ·Reset过程的数值模拟与分析 | 第30-37页 |
| ·Reset过程的电学模拟 | 第30-32页 |
| ·Reset过程的传热学模拟 | 第32-34页 |
| ·不同电极大小的Reset特性 | 第34-35页 |
| ·Reset过程的结构分析 | 第35-37页 |
| ·Set过程的数值模拟与分析 | 第37-42页 |
| ·Set过程的电学模拟 | 第37-38页 |
| ·Set过程的传热学模拟 | 第38-40页 |
| ·不同厚度下的Set特性 | 第40-42页 |
| ·Set过程的结构分析 | 第42页 |
| ·相变存储器的等效电路模拟 | 第42-44页 |
| ·相变存储器的结构改进 | 第44-46页 |
| ·小尺寸的相变材料区域 | 第44-45页 |
| ·带纳米点的底电极结构 | 第45-46页 |
| ·带空心的底电极结构 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 相变材料的电化学性质研究 | 第47-62页 |
| ·引言 | 第47-51页 |
| ·化学机械抛光与电化学 | 第47-48页 |
| ·电化学腐蚀的研究方法 | 第48-51页 |
| ·相变材料的电化学实验试剂,分析手段和实验装置 | 第51-52页 |
| ·主要测试分析仪器 | 第51页 |
| ·主要试剂 | 第51页 |
| ·电化学实验装置 | 第51页 |
| ·电化学实验方法 | 第51-52页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5的电化学性质 | 第52-61页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5各元素电化学性质 | 第52-53页 |
| ·抛光液各组分因素对Ge_2Sb_2Te_5薄膜成膜特性的影响 | 第53-59页 |
| ·用交流阻抗的方法研究反应机理 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章、用化学机械抛光制作相变存储器的阵列结构 | 第62-83页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·制作阵列结构实验方案和实验设备 | 第62-63页 |
| ·对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的化学机械抛光研究 | 第63-70页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5对SiO_2的CMP选择比研究 | 第63-65页 |
| ·在SiO_2上对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的化学机械抛光研究 | 第65-68页 |
| ·制作底电极的Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器结构 | 第68-70页 |
| ·对SiSb_2Te_3薄膜的化学机械抛光研究 | 第70-82页 |
| ·SiSb_2Ye_3对SiO_2的CMP选择比研究 | 第70-72页 |
| ·用电子束曝光制作SiSb 2Te 3阵列结构 | 第72-74页 |
| ·用电子束曝光制作带底电极的阵列结构 | 第74-79页 |
| ·研究在SiSb 2Te 3中掺Bi相变存储特性 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 Ge_2Sb_2Te_5的湿法刻蚀研究 | 第83-89页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·湿法刻蚀的实验方案和实验设备 | 第83-84页 |
| ·用湿法刻蚀的方法制作相变存储器阵列 | 第84-85页 |
| ·刻蚀液的选择 | 第85-86页 |
| ·实验结果与分析 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 多仪器电学测试系统的建立 | 第89-104页 |
| ·电学测试系统简介 | 第89-90页 |
| ·用于控制测试线路的转换开关 | 第90页 |
| ·以Agilent 4284A为中心的测试系统 | 第90-96页 |
| ·Agilent 4284A的测试原理 | 第90-92页 |
| ·测试端与样品连接的基本要求 | 第92页 |
| ·仪器校正 | 第92-93页 |
| ·仪器的测试程序 | 第93-95页 |
| ·应用4284测试程序来研究纳米浮栅存储器的电学性能 | 第95-96页 |
| ·对keithley 2400调试与编程测试 | 第96-100页 |
| ·电压扫描测试程序 | 第96-98页 |
| ·电流扫描测试程序 | 第98页 |
| ·实时测试电压电流电阻程序 | 第98-99页 |
| ·Keithley 2400的测试程序的应用 | 第99-100页 |
| ·温度特性测试系统 | 第100-103页 |
| ·温度特性测试系统介绍 | 第100页 |
| ·温控仪 | 第100-101页 |
| ·变温探针测试台 | 第101页 |
| ·温度特性测试系统软件 | 第101-102页 |
| ·测试及数据处理 | 第102页 |
| ·温度测试系统的应用 | 第102-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第七章 总结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-112页 |
| 发表学术论文目录 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 个人简历 | 第116-117页 |
