| 学位论文原创性声明和学位论文版权使用授权书 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1 章 绪论 | 第10-16页 |
| ·选题的意义 | 第10-12页 |
| ·电子材料的重要性 | 第10页 |
| ·Ga 在电子材料中的应用 | 第10-11页 |
| ·计算机模拟在微观结构研究中的必要性 | 第11页 |
| ·分子模拟方法在微观结构研究中的重要性 | 第11-12页 |
| ·分子模拟方法的研究概况及两种主要的研究方法 | 第12-14页 |
| ·蒙特卡洛模拟方法 | 第12页 |
| ·分子动力学模拟方法 | 第12-13页 |
| ·分子动力学模拟方法在材料科学研究中所取得的成果 | 第13-14页 |
| ·本文研究的目的及其主要内容 | 第14-16页 |
| 第2 章 电子材料 Ga 的结构与电特性的关系 | 第16-20页 |
| ·电子材料的分类 | 第16页 |
| ·电子材料的特点 | 第16-17页 |
| ·电子材料研究的新领域－非晶半导体 | 第17-20页 |
| ·非晶半导体 Ga 的结构 | 第17-18页 |
| ·Ga 的结构对其电子特性的影响 | 第18-20页 |
| 第3 章 电子材料 Ga 的模拟原理 | 第20-32页 |
| ·原子间的赝势 | 第20-22页 |
| ·赝势 | 第20-21页 |
| ·本文 Ga 所采用的势的具体形式 | 第21-22页 |
| ·液态、非晶态物质微观结构的统计描述 | 第22-26页 |
| ·蒙特卡洛法 | 第26-28页 |
| ·分子动力学方法 | 第28-32页 |
| ·分子动力学的基本原理 | 第28页 |
| ·原子系统的运动方程 | 第28-29页 |
| ·VERLET 算法 | 第29-30页 |
| ·周期性边界条件 | 第30-32页 |
| 第4 章 Ga 的快速凝固中微观结构转变的模拟研究 | 第32-41页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·模拟计算的条件和方法 | 第32-33页 |
| ·模拟计算结果与讨论 | 第33-40页 |
| ·双体分布函数 | 第33-34页 |
| ·键型指数分析 | 第34-37页 |
| ·原子团结构分析 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第5 章 Ga 的快速凝固与冷却速度的关系 | 第41-55页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·模拟计算的条件和方法 | 第41页 |
| ·模拟计算结果分析 | 第41-54页 |
| ·不同冷却速度下的双体分布函数 | 第41-43页 |
| ·不同冷却速度下的平均原子总能量 | 第43页 |
| ·不同冷却速度下的键型指数 | 第43-47页 |
| ·不同冷却速度下的基本原子团结构 | 第47-48页 |
| ·微观结构的可视化研究 | 第48-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第6 章 Ga 的快速凝固与初始状态的关系 | 第55-62页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·模拟计算的条件和方法 | 第55页 |
| ·模拟计算结果分析 | 第55-61页 |
| ·不同初始状态下的双体分布函数 | 第55-57页 |
| ·不同初始状态下的平均原子总能量 | 第57页 |
| ·不同初始状态下的键型指数 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 附录 A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |