第一章 绪论 | 第1-25页 |
§1.1 基本逻辑表达式及其电路 | 第7-14页 |
§1.2 现有的多种全加器逻辑表达式及其电路 | 第14-21页 |
§1.3 全加器的性能指标和设计依据 | 第21-23页 |
§1.4 论文的主要工作及章节安排 | 第23-25页 |
第二章 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器 | 第25-51页 |
§2.1 PSEUDO-NMOS全加器电路 | 第25-28页 |
§2.2 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器的电路设计 | 第28-33页 |
§2.3 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器的原理图设计 | 第33-39页 |
§2.4 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器电路的功耗估算 | 第39-40页 |
§2.5 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器电路的延时估算 | 第40-43页 |
§2.6 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器的版图设计 | 第43-47页 |
§2.7 全加器电路测试信号的生成 | 第47-49页 |
§2.8 QUASI-PSEUDO-NMOS全加器电路性能的仿真验证 | 第49-51页 |
第三章 DT-CPL-TG全加器 | 第51-71页 |
§3.1 CPL-TG全加器电路 | 第51-54页 |
§3.2 DT-MOS技术的原理 | 第54-58页 |
§3.3 DT-CPL-TG全加器的电路设计 | 第58-62页 |
§3.4 DT-CPL-TG全加器电路的原理图设计 | 第62-66页 |
§3.5 DT-CPL-TG全加器电路的性能估算 | 第66-68页 |
§3.6 DT-CPL-TG全加器的版图设计 | 第68-69页 |
§3.7 DT-CPL-TG全加器电路性能的仿真验证 | 第69-71页 |
第四章 QUASI-PSEUDO-NMOS和DT-CPL-TG全加器设计的对比 | 第71-75页 |
§4.1 QUASI-PSEUDO-NMOS和DT-CPL-TG全加器电路结构对比 | 第71-72页 |
§4.2 QUASI-PSEUDO-NMOS和DT-CPL-TG全加器电路性能对比 | 第72-73页 |
§4.3 QUASI-PSEUDO-NMOS和DT-CPL-TG全加器不同的应用场合 | 第73-75页 |
结束语 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-79页 |