| 1 绪论 | 第1-18页 |
| ·快速软恢复功率二极管概述 | 第9-12页 |
| ·功率二极管的工作原理 | 第9-11页 |
| ·改善功率二极管性能的主要方法 | 第11-12页 |
| ·SiGe材料的特性及研究意义 | 第12-15页 |
| ·本文的研究对象和内容 | 第15-18页 |
| 2 物理模型的建立与理论分析 | 第18-29页 |
| ·能带模型 | 第18-19页 |
| ·能带窄化模型 | 第19-20页 |
| ·应变SiGe合金的态密度模型 | 第20-22页 |
| ·本征载流子浓度 | 第22页 |
| ·迁移率模型 | 第22-24页 |
| ·介电场数模型 | 第24页 |
| ·Si PIN二极管工作原理及缺陷 | 第24-27页 |
| ·p~+(SiGe)-n~--n~+二极管基本结构与工作原理 | 第27-28页 |
| ·本章小节 | 第28-29页 |
| 3 n~-区多层渐变掺杂型SiGe功率二极管特性研究 | 第29-42页 |
| ·特性模拟与分析 | 第30-34页 |
| ·结构参数优化设计 | 第34-41页 |
| ·n~-区层段厚度比例的优化设计 | 第34-36页 |
| ·n~-区掺杂浓度的优化设计 | 第36-38页 |
| ·Ge含量的优化设计 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 理想欧姆接触型SiGe功率二极管特性研究 | 第42-53页 |
| ·器件结构和工作原理 | 第42-43页 |
| ·特性模拟与分析 | 第43-47页 |
| ·结构参数优化设计 | 第47-52页 |
| ·mosaic结构中p~+区厚度的优化设计 | 第47-49页 |
| ·p~+(SiGe)层中Ge含量的优化设计 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与验证 | 第53-57页 |
| ·模拟结果的间接验证 | 第53-54页 |
| ·结论与展望 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第61页 |