| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| 1．1 场发射实质及场发射显示器研究进展 | 第9-16页 |
| 1．1．1 场发射 | 第9-10页 |
| 1．1．2 场发射实质 | 第10-12页 |
| 1．1．2．1 逸出功及金属场发射机理 | 第11页 |
| 1．1．2．2 负电子亲和势及半导体场发射 | 第11-12页 |
| 1．1．3 场发射显示器（FED）应用及进展 | 第12-16页 |
| 1．1．3．1 FED研究进展 | 第13-14页 |
| 1．1．3．2 国内FED研究动态 | 第14-16页 |
| 1．2 Ⅲ族氮化物半导体材料的出现、发展及应用前瞻 | 第16-20页 |
| 1．2．1 半导体材料发展历程 | 第16-17页 |
| 1．2．2 Ⅲ族氮化物半导体材料发展及应用前瞻 | 第17-20页 |
| 1．3 Ⅲ族氮化物半导体材料场发射研究进展 | 第20-23页 |
| 1．3．1 BN薄膜场发射研究进展 | 第20-21页 |
| 1．3．2 GaN薄膜场发射研究进展 | 第21-23页 |
| 1．3．3 AlN薄膜场发射研究进展 | 第23页 |
| 1．4 Ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究意义所在 | 第23-27页 |
| 第2章 Ⅲ族氮化物半导体场发射理论研究 | 第27-47页 |
| 2．1 半导体场发射模型及发展困境 | 第27-33页 |
| 2．1．1 场发射理论模型起源及进展 | 第27-29页 |
| 2．1．2 半导体及相关纳米材料场发射已有模型简述 | 第29-32页 |
| 2．1．3 场发射理论发展困境及可能方向 | 第32-33页 |
| 2．2 Ⅲ族氮化物半导体场发射能带弯曲理论研究 | 第33-45页 |
| 2．2．1 引言 | 第33-34页 |
| 2．2．2 宽带隙半导体带弯曲模型建立 | 第34-37页 |
| 2．2．3 宽带隙半导体带弯曲机制研究 | 第37-41页 |
| 2．2．4 Ⅲ族氮化物场发射带弯曲机制研究 | 第41-45页 |
| 2．3 本章小节 | 第45-47页 |
| 第3章 Ⅲ族氮化物半导体场发射纳米增强机制研究 | 第47-61页 |
| 3．1 Ⅲ族氮化物半导体纳米增强场发射理论模型 | 第47-50页 |
| 3．1．1 纳米材料场发射研究现状 | 第47-48页 |
| 3．1．2 纳米半导体场发射理论模型建立 | 第48-50页 |
| 3．2 c-BN半导体薄膜场发射纳米增强效应研究 | 第50-54页 |
| 3．2．1 纳米c-BN薄膜场发射研究意义及现状 | 第50页 |
| 3．2．2 c-BN半导体薄膜场发射纳米增强效应研究 | 第50-53页 |
| 3．2．3 结果与讨论 | 第53-54页 |
| 3．3 纳米AlxGa1-xN复合膜的热场发射特性 | 第54-60页 |
| 3．3．1 纳米Al_xGa_(1-x)N复合膜场发射研究意义 | 第54-55页 |
| 3．3．2 Al_xGa_(1-x)N复合膜场发射的纳米增强效应及热场特性 | 第55-59页 |
| 3．3．3 结论 | 第59-60页 |
| 3．4 本章小节 | 第60-61页 |
| 第4章 BN薄膜相结构控制及其对场发射性能的影响 | 第61-93页 |
| 4．1 c-BN薄膜制备研究进展 | 第61-62页 |
| 4．2 工艺参数对沉积不同相结构BN薄膜的影响 | 第62-84页 |
| 4．3 相结构对氮化硼薄膜场发射性能的影响 | 第84-90页 |
| 4．3．1 研究相结构对氮化硼薄膜场发射性能影响的意义 | 第84-85页 |
| 4．3．2 不同相含量BN薄膜的场发射实验 | 第85-87页 |
| 4．3．3 BN薄膜相结构对场发射性能影响实质 | 第87-90页 |
| 4．4 本章小节 | 第90-93页 |
| 第5章 AlN薄膜取向控制及其对场发射性能的影响 | 第93-113页 |
| 5．1 AlN薄膜制备及应用 | 第93-96页 |
| 5．2 AlN薄膜取向性研究 | 第96-105页 |
| 5．2．1 蚕状晶AlN薄膜取向生长及机理研究 | 第96-100页 |
| 5．2．2 溅射参数对AlN薄膜取向性影响 | 第100-105页 |
| 5．3 取向结构对AlN薄膜场发射性能的影响 | 第105-111页 |
| 5．3．1 AlN薄膜取向对提高其场发射性能之可能性 | 第105-106页 |
| 5．3．2 高取向AlN薄膜场发射性能研究 | 第106-111页 |
| 5．3．2．1 试验参数及系统条件设定 | 第106-107页 |
| 5．3．2．2 不同厚度的取向AlN薄膜场发射性能比较 | 第107-109页 |
| 5．3．2．3 取向结构对AlN薄膜场发射性能的影响及实质 | 第109-111页 |
| 5．4 本章小节 | 第111-113页 |
| 总结及展望 | 第113-117页 |
| 参考文献 | 第117-129页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
