| 论文摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 GeSiC多元材料的研究意义及进展 | 第7-13页 |
| ·GeSiC多元材料的研究意义: | 第7-8页 |
| ·GeSiC多元半导体薄膜材料的制备工艺简介 | 第8-9页 |
| ·团簇的相关知识 | 第9页 |
| ·半导体团簇的研究现状 | 第9-11页 |
| 参考文献 | 第11-13页 |
| 第二章 量子理论基础与Gaussian98程序简介 | 第13-35页 |
| ·分子结构理论 | 第13-14页 |
| ·分子轨道理论的近似方法 | 第14-16页 |
| ·变分方法和微忧理论简介 | 第16-17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-19页 |
| ·Gaussian98程序简介 | 第19-30页 |
| ·Gaussian98的主要功能 | 第19-20页 |
| ·结构优化 频率分析 集居分析 | 第20-30页 |
| ·核磁位移屏蔽张量的计算: | 第30-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 GeSiC三元半导体微团簇的结构和电子性质 | 第35-51页 |
| ·研究意义与进展 | 第35-36页 |
| ·计算方法简介 | 第36-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-48页 |
| ·基态及其它低能结构 | 第37-47页 |
| ·稳定化能 | 第47-48页 |
| ·Ge_1Si_mC_n三元团簇的结构特征 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 半导体团簇体系的芳香性 | 第51-63页 |
| ·芳香性的定义 | 第51-53页 |
| ·半导体团簇体系芳香性研究 | 第53-61页 |
| 4 2.1 元素化合物芳香性的研究进展 | 第53页 |
| 4 2.2 半导体团簇体系芳香性的研究方法及结果讨论 | 第53-60页 |
| 4 2.3 主要结论与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 鸣谢 | 第63-64页 |
