硫镓银（AgGaS2）单晶体生长及其性能表征
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-10页 |
| 2 原理与计算 | 第10-32页 |
| 2．1 晶体生长基本原理 | 第10-16页 |
| 2．1．1 熔体的结晶过程 | 第10-13页 |
| 2．1．2 分凝与组分过冷 | 第13-16页 |
| 2．2 晶体生长方法 | 第16-18页 |
| 2．2．1 布里奇曼（Bridgman）法 | 第16-17页 |
| 2．2．2 坩埚旋转下降法 | 第17-18页 |
| 2．2．3 相图分析 | 第18页 |
| 2．3 晶体缺陷和控制过程 | 第18-21页 |
| 2．3．1 晶体缺陷 | 第18-20页 |
| 2．3．2 缺陷的控制途径 | 第20-21页 |
| 2．3．3 结论 | 第21页 |
| 2．4 晶体的二次谐波发生（SHG） | 第21-32页 |
| 2．4．1 硫镓银晶体的二次谐波发生的位相匹配 | 第22-29页 |
| 2．4．2 硫镓银晶体倍频作用长度L_（SHG） | 第29-32页 |
| 3 实验、结果和讨论 | 第32-45页 |
| 3．1 晶体生长 | 第33-40页 |
| 3．1．1 多晶原料合成 | 第33-35页 |
| 3．1．2 单晶的生长 | 第35-38页 |
| 3．1．3 X射线衍射分析 | 第38-40页 |
| 3．2 性能表征 | 第40-45页 |
| 3．2．1 晶体的解理实验 | 第40页 |
| 3．2．2 形貌观察 | 第40-41页 |
| 3．2．3 红外显微镜观察 | 第41-42页 |
| 3．2．4 红外透过光谱测试 | 第42页 |
| 3．2．5 X射线光电子能谱分析 | 第42-43页 |
| 3．2．6 差热分析 | 第43-45页 |
| 3．3 讨论 | 第45页 |
| 4 结论 | 第45页 |
| 5 工作展望 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 附件 | 第51-52页 |
