| 课题背景 | 第1-7页 |
| 第一章 取样示波器及其传统的校准方法 | 第7-15页 |
| 1．1 取样示波器 | 第7-11页 |
| 1．1．1 取样示波器的基本原理 | 第7-8页 |
| 1．1．2 取样定理及其在取样示波器中的应用 | 第8-9页 |
| 1．1．3 取样门的频率特性和过渡特性 | 第9-11页 |
| 1．2 取样示波器校准的任务 | 第11-12页 |
| 1．3 传统校准方法及其存在的问题 | 第12-15页 |
| 1．3．1 取样电路详尽模型法 | 第12-13页 |
| 1．3．2 标准脉冲法 | 第13页 |
| 1．3．3 功率测量法 | 第13-15页 |
| 第二章 “NTN”校准方法的理论分析 | 第15-33页 |
| 2．1 “nose-to-nose”校准方法简介 | 第15-16页 |
| 2．2 基于传输线理论的“ntn”校准理论的分析 | 第16-18页 |
| 2．3 基于取样电路等效模型的“ntn”校准理论的分析 | 第18-21页 |
| 2．3．1 “kick-out”脉冲的产生 | 第18-19页 |
| 2．3．2 取样示波器的传递函数 | 第19-20页 |
| 2．3．3 对“kick-out”脉冲的测量结果 | 第20-21页 |
| 2．4 基于S参数的“ntn”校准技术的理论分析 | 第21-26页 |
| 2．4．1 计算“kick-out”脉冲 | 第23页 |
| 2．4．2 示波器冲激响应的计算 | 第23-25页 |
| 2．4．3 三台取样示波器的“ntn”校准技术 | 第25页 |
| 2．4．4 结论 | 第25-26页 |
| 2．5 基于微波二极管取样电路的“ntn”校准技术的理论分析 | 第26-33页 |
| 2．5．1 实际取样电路的简化 | 第27-30页 |
| 2．5．2 取样电路非对称性的消除 | 第30-31页 |
| 2．5．3 “kick-out”脉冲和取样示波器冲激响应的关系 | 第31-33页 |
| 第三章 “NTN”校准法的计算机仿真 | 第33-50页 |
| 3．1 电路参数和对称性对“kick-out”脉冲的影响 | 第34-41页 |
| 3．1．1 “kick-out”脉冲的产生 | 第34-36页 |
| 3．1．2 取样脉冲源内阻和二极管管壳电容对“kick-out”脉冲的影响 | 第36-37页 |
| 3．1．3 二极管参数L_s，C_j和R_s对“kick-out”脉冲的影响 | 第37-39页 |
| 3．1．4 电路的对称性对“kick-out”脉冲的影响 | 第39-41页 |
| 3．2 取样二极管参数的选择及其对“kick-out”脉冲过渡特性的影响 | 第41-44页 |
| 3．3 “kick-out”脉冲的分离 | 第44-50页 |
| 3．3．1 两台相同取样示波器校准的分离算法 | 第45页 |
| 3．3．2 三台不同取样示波器校准的分离算法 | 第45-48页 |
| 3．3．3 相位的解卷绕 | 第48-50页 |
| 第四章 “NTN”校准法校准精度的提高 | 第50-56页 |
| 4．1 对取样时间晃动产生误差的补偿 | 第50-53页 |
| 4．2 时基漂移影响的消除 | 第53-54页 |
| 4．3 适配器失配误差的校正 | 第54-56页 |
| 第五章 组建“NTN”校准实验系统的一些设想 | 第56-59页 |
| 5．1 “ntn”校准方法的实验系统 | 第56-57页 |
| 5．2 “ntn”校准方法的一般步骤 | 第57-59页 |
| 第六章 反卷积技术及其在“NTN”校准法中的应用 | 第59-69页 |
| 6．1 反卷积技术介绍 | 第59-62页 |
| 6．1．1 反卷积的定义 | 第59-60页 |
| 6．1．2 噪声对反卷积解的影响 | 第60-61页 |
| 6．1．3 反卷积技术在“ntn”校准法中的应用 | 第61-62页 |
| 6．2 频域反卷积 | 第62-68页 |
| 6．2．1 单参数滤波法 | 第62-63页 |
| 6．2．2 频域反卷积最优化准则 | 第63-64页 |
| 6．2．3 单参数滤波法的仿真结果 | 第64-66页 |
| 6．2．4 双参数滤波法 | 第66-68页 |
| 6．3 总结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
