| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·MMIC技术发展概况 | 第7-9页 |
| ·MMIC的优点和不足 | 第9页 |
| ·MMIC的应用 | 第9-10页 |
| ·MMIC数字衰减器的研究意义及发展概况 | 第10-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2 GaAs PHEMT开关特性及建模研究 | 第15-26页 |
| ·GaAs无源器件 | 第15-17页 |
| ·电阻 | 第15-17页 |
| ·微带元件 | 第17页 |
| ·GaAs PHEMT开关特性 | 第17-20页 |
| ·赝同晶GaAs HEMT(PHEMT)的物理结构 | 第17-18页 |
| ·PHEMT器件工作机理 | 第18-20页 |
| ·GaAs PHEMT开关建模研究 | 第20-26页 |
| ·工程模型提取 | 第20-23页 |
| ·模型参数提取 | 第23-26页 |
| 3 数字衰减器的基本理论 | 第26-36页 |
| ·数字衰减器的主要技术指标 | 第26-27页 |
| ·几种衰减结构的分析比较 | 第27-36页 |
| ·T型衰减器 | 第28-30页 |
| ·PI型衰减器 | 第30-31页 |
| ·桥T型衰减器 | 第31-34页 |
| ·开关式衰减器 | 第34-36页 |
| 4 MMIC六位数字衰减器的设计 | 第36-58页 |
| ·小衰减位的设计 | 第36-38页 |
| ·0.5dB衰减位的设计 | 第36-37页 |
| ·1dB衰减位的设计 | 第37-38页 |
| ·中等衰减位的设计 | 第38-47页 |
| ·2dB衰减位的设计 | 第38-44页 |
| ·4dB衰减位的设计 | 第44-47页 |
| ·大衰减位的设计 | 第47-51页 |
| ·8dB衰减位的设计 | 第47-50页 |
| ·16dB衰减位的设计 | 第50-51页 |
| ·六位级联衰减电路仿真 | 第51-52页 |
| ·版图设计 | 第52-58页 |
| ·设计规则 | 第53-55页 |
| ·衰减器总体版图 | 第55-58页 |
| 5 MMIC工艺技术及CAD技术 | 第58-62页 |
| ·MMIC加工工艺以及加工流程 | 第58-60页 |
| ·MMIC CAD技术简介 | 第60-62页 |
| 6 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录 | 第67-69页 |