| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·研究目的及意义 | 第11-12页 |
| ·电子封装 | 第12-14页 |
| ·电子封装的定义 | 第12页 |
| ·电子封装的结构层次 | 第12-14页 |
| ·电子封装的发展趋势 | 第14页 |
| ·电子封装材料 | 第14-18页 |
| ·作为封装材料应具备的特性 | 第15页 |
| ·电子封装材料 | 第15-18页 |
| ·复合封装材料 | 第18页 |
| ·碳化硼基复合材料的研究现状 | 第18-19页 |
| ·碳化硼/金属复合材料的制备方法 | 第19-21页 |
| ·搅拌熔铸法 | 第19-20页 |
| ·粉末冶金法 | 第20页 |
| ·熔体浸渗法（熔渗法或浸渗法） | 第20-21页 |
| 2 研究内容及测试方法 | 第21-25页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| ·测试方法 | 第22-25页 |
| ·致密度的测定 | 第22-23页 |
| ·物相分析 | 第23页 |
| ·显微形貌及元素组分分析 | 第23-24页 |
| ·热导率测试 | 第24-25页 |
| 3 碳化硼除氧处理及预制体成型工艺研究 | 第25-34页 |
| ·碳化硼原料的除氧处理 | 第25-26页 |
| ·预制体的成型工艺研究 | 第26-33页 |
| ·粘结剂的加入量 | 第27-28页 |
| ·冷压成型的压力大小 | 第28-29页 |
| ·冷压成型的保压时间 | 第29-30页 |
| ·冷压成型的出模速度 | 第30-31页 |
| ·粉料的粒度配比 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 改善B_4C 预制体渗AL 行为的研究 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·实验方案 | 第36-37页 |
| ·主要实验设备 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-39页 |
| ·B_4C 预制体的成型 | 第37页 |
| ·B_4C 预制体的预烧结 | 第37页 |
| ·B_4C 预制体的表面涂层处理 | 第37-38页 |
| ·无压浸渗Al | 第38-39页 |
| ·B_4C 预制体预烧结温度的研究 | 第39-41页 |
| ·预烧结温度对预制体致密度的影响 | 第39页 |
| ·预烧结温度对预制体渗Al 行为的影响 | 第39-41页 |
| ·B_4C 预制体表面涂层处理的研究 | 第41-44页 |
| ·1200℃热处理前后预制体的成分分析 | 第41-42页 |
| ·经表面涂层处理后预制体的微观形貌 | 第42-43页 |
| ·表面涂层处理对预制体渗Al 行为的影响 | 第43-44页 |
| ·B_4C/AL 复合材料的成分及显微分析 | 第44-47页 |
| ·B_4C/Al 复合材料的成分分析 | 第44-45页 |
| ·B_4C/Al 复合材料的显微分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5 原位熔渗合成B_4C/AL-ALN 复合材料及其性能研究 | 第48-68页 |
| ·实验设计 | 第48-49页 |
| ·实验原料及配比计算 | 第49-50页 |
| ·实验过程 | 第50-52页 |
| ·预制体的成型 | 第50页 |
| ·预制体的预烧结 | 第50-51页 |
| ·无压浸渗Al | 第51-52页 |
| ·反应生成BN 的研究 | 第52-58页 |
| ·XRD 结果及讨论 | 第52-53页 |
| ·SEM 结果及讨论 | 第53-57页 |
| ·SiC 纤维生长机理讨论 | 第57-58页 |
| ·渗AL 原位合成B_4C/AL-ALN 的研究 | 第58-62页 |
| ·XRD 结果及讨论 | 第58-60页 |
| ·SEM 结果及讨论 | 第60-62页 |
| ·复合材料热导率的测试及分析 | 第62-67页 |
| ·热导率的测试与结果 | 第62-64页 |
| ·复合材料导热性能分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 6 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |