导纳谱在有机发光二极管器件物理研究中的应用

中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章 绪论	第9-28页
·引言	第9页
·有机电致发光器件(OLED)的基本介绍	第9-12页
·OLED 发展历史简介	第9-11页
·OLED 的产业化现状	第11-12页
·OLED 器件物理	第12-24页
·OLED 器件结构	第12-14页
·OLED 器件物理概述	第14-16页
·载流子的注入	第16-18页
·载流子的传输	第18-19页
·掺杂对空间限制电流的影响	第19-21页
·载流子迁移率的测定	第21-24页
·导纳谱技术简介	第24-26页
·导纳谱的基本理论	第24-25页
·导纳谱的测量方法	第25-26页
·本课题的研究目的与内容	第26-28页
第二章 导纳谱在掺杂 OLED 器件研究中的应用	第28-55页
·引言	第28页
·P-型掺杂 CBP 在磷光器件中的应用	第28-51页
·器件制备与测试	第29-31页
·结果与讨论	第31-51页
·N-型掺杂 Bphen 在磷光器件中的应用	第51-54页
·器件制备与测试	第51页
·EL 和导纳谱测试结果	第51-54页
·本章小结	第54-55页
第三章 导纳谱在迁移率测定中的应用	第55-67页
·引言	第55-58页
·无缓冲层器件 NPB 空穴迁移率的测定	第58-62页
·带缓冲层器件 CBP 空穴迁移率的测定	第62-66页
·本章小结	第66-67页
第四章 不同复合阴极器件的退化机理研究	第67-74页
·引言	第67-68页
·器件制备与测试	第68-69页
·结果和讨论	第69-73页
·本章小结	第73-74页
全文总结	第74-75页
参考文献	第75-80页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文	第80-81页
致谢	第81-82页