| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| §1.1 低维半导体材料简介 | 第9-12页 |
| §1.1.1 低维半导体材料的发展状况 | 第9-10页 |
| §1.1.2 半导体材料中的电子状态 | 第10-12页 |
| §1.2 InAs/GaAs量子点的研究进展 | 第12-16页 |
| §1.2.1 自组织生长量子点的基本原理及表征 | 第12-14页 |
| §1.2.2 生长条件对InAs量子点性能的影响 | 第14-16页 |
| §1.2.2.1 InAs沉积厚度和生长温度对InAs量子点性能的影响 | 第14页 |
| §1.2.2.2 As压对InAs量子点性能的影响 | 第14-15页 |
| §1.2.2.3 生长速率和生长停顿对InAs量子点性能的影响 | 第15页 |
| §1.2.2.4 覆盖应变减少层对InAs量子点性能的影响 | 第15-16页 |
| §1.3 红外探测器材料简介 | 第16-18页 |
| §1.4 本文的研究目的 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 分子束外延技术 | 第21-34页 |
| §2.1 引言 | 第21-22页 |
| §2.2 分子束外延设备 | 第22-24页 |
| §2.3 固态源Ⅲ-Ⅴ族分子束外延材料生长机理 | 第24-26页 |
| §2.4 分子束外延关键技术 | 第26-33页 |
| §2.4.1 真空 | 第26-27页 |
| §2.4.2 MBE诊断和分析 | 第27-31页 |
| §2.4.2.1 反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第27-30页 |
| §2.4.2.2 四极质谱仪(QMS) | 第30-31页 |
| §2.4.3 产业化 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 渐变InGaAs覆盖层对InAs量子点及其红外探测器件的影响 | 第34-45页 |
| §3.1 引言 | 第34页 |
| §3.2 不同组分InGaAs覆盖层和InAs沉积厚度对量子点性能影响 | 第34-37页 |
| §3.2.1 材料生长 | 第34-35页 |
| §3.2.2 InAs量子点原子力(AFM)图像和光致发光(PL)谱图像分析 | 第35-37页 |
| §3.3 带有渐变InGaAs覆盖层的InAs量子点材料的生长与研究 | 第37-44页 |
| §3.3.1 材料生长 | 第37-38页 |
| §3.3.2 实验结果和讨论 | 第38-44页 |
| §3.3.2.1 Inms量子点的原子力(AFM)和光致发光(PL)谱图像分析 | 第38-40页 |
| §3.3.2.2 渐变InGaAs的插入对InAs量子点红外探测器的影响 | 第40-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
