宽禁带GaN HEMT F类功率放大器设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第13页 |
| ·国内外研究动态 | 第13-16页 |
| ·本课题的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 宽禁带GaN HEMT器件 | 第18-21页 |
| ·宽禁带GaN HEMT器件概述 | 第18-20页 |
| ·宽禁带GaN器件模型 | 第20-21页 |
| 第三章 功率放大器工作原理 | 第21-33页 |
| ·功率放大器主要设计指标 | 第21-28页 |
| ·工作频带 | 第21页 |
| ·输出功率 | 第21-22页 |
| ·效率 | 第22页 |
| ·增益 | 第22-24页 |
| ·非线性特性 | 第24-26页 |
| ·稳定性分析 | 第26-28页 |
| ·偏置网络 | 第28页 |
| ·匹配网络设计 | 第28-29页 |
| ·负载牵引理论 | 第29-31页 |
| ·谐波平衡法 | 第31-33页 |
| 第四章 F类功率放大器设计原理 | 第33-45页 |
| ·功率放大器的概述 | 第33页 |
| ·功率放大器的分类 | 第33-40页 |
| ·线性功率放大器 | 第33-36页 |
| ·D类功率放大器 | 第36-38页 |
| ·E类功率放大器 | 第38-40页 |
| ·F类功率放大器 | 第40-44页 |
| ·最平坦波形近似技术 | 第40-42页 |
| ·集总参数元件设计的F类放大器 | 第42-43页 |
| ·具有微带传输线的F类功率放大器 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 F类功率放大器的设计及仿真 | 第45-57页 |
| ·设计目标 | 第45页 |
| ·功率放大器芯片的选择 | 第45-46页 |
| ·介质基片的选择 | 第46页 |
| ·F类功率放大器的设计 | 第46-53页 |
| ·功率放大器设计步骤 | 第46-47页 |
| ·直流特性分析 | 第47-48页 |
| ·负载牵引 | 第48-49页 |
| ·匹配电路设计 | 第49-53页 |
| ·仿真结果与分析 | 第53-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62页 |
