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FCC晶体中位错环的分子动力学研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·金属材料中的位错和金属力学性质第9-10页
   ·位错相关历史与研究动态第10-11页
   ·本文的主要内容第11-12页
 参考文献第12-14页
第二章 晶体位错理论简介第14-33页
   ·位错的基本性质第14-20页
     ·刃型位错和螺型位错第14-16页
     ·Burgers回路和Burgers矢量第16-17页
     ·位错的运动第17-19页
     ·位错的增殖和位错源第19-20页
   ·面心立方晶体中的位错第20-28页
     ·全位错和分位错第20-26页
     ·位错反应第26-28页
   ·连续介质位错理论简介第28-32页
     ·位错的连续介质描述第28-29页
     ·一般线弹性介质中给定位错密度分布的物理场第29-32页
 参考文献第32-33页
第三章 分子动力学简介第33-45页
   ·分子动力学方法原理第33-36页
     ·粒子运动方程第33-34页
     ·势函数第34-36页
   ·程序与算法第36-40页
     ·程序构成与周期边界条件第36-37页
     ·相互作用势的截断第37-38页
     ·近邻表算法第38-39页
     ·运动方程的积分第39-40页
   ·控温方法与控压方法第40-42页
   ·不同系统的分子动力学模拟第42-43页
 参考文献第43-45页
第四章 单晶铜中类层错四面体的形成与演化第45-58页
   ·引言第45-46页
   ·模型第46-47页
   ·结果第47-56页
     ·类SFT的结构第47-52页
     ·临界条件第52-53页
     ·振荡现象第53-56页
   ·结论第56-57页
 参考文献第57-58页
第五章 有限温度下不全位错环的脱体现象第58-72页
   ·引言第58-59页
   ·模型构造第59-61页
   ·模拟结果分析第61-70页
     ·零温下的结果第61-62页
     ·位错迁移速度和温度的关系第62-64页
     ·脱体位错的产生和原因第64-70页
   ·结论第70-71页
 参考文献第71-72页
第六章 总结与展望第72-74页
附录1 复杂公式推导第74-83页
附录2 THONPSON四面体第83-87页
附录3 基于连续介质位错理论的位错原子分布构造方法第87-93页
附录4 后处理方法介绍第93-95页
个人简历第95-97页
致谢第97-98页

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