层状介孔氧化锆的制备及其机理初探
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·介孔材料的合成机理 | 第10-14页 |
| ·液晶模板机理(简称LCT) | 第10-11页 |
| ·真液晶模板剂机理(简称TLCT) | 第11页 |
| ·广义液晶模板机理 | 第11-12页 |
| ·协同作用机理(简称CMF) | 第12页 |
| ·电荷密度匹配机理 | 第12页 |
| ·层状折皱机理 | 第12-13页 |
| ·其他合成机理 | 第13页 |
| ·表面活性剂与无机物之间的作用力 | 第13-14页 |
| ·静电作用 | 第13-14页 |
| ·氢键 | 第14页 |
| ·共价键 | 第14页 |
| ·介孔氧化锆的研究进展 | 第14-19页 |
| ·介孔氧化锆的合成方法 | 第14-17页 |
| ·自组装液晶机理合成介孔氧化锆 | 第14-16页 |
| ·构架机理合成介孔氧化锆 | 第16-17页 |
| ·其他机理合成介孔氧化锆 | 第17页 |
| ·模板剂的脱除 | 第17-19页 |
| ·煅烧法 | 第17-18页 |
| ·萃取法 | 第18-19页 |
| ·论文的选题意义 | 第19-20页 |
| ·拟选用的实验方案 | 第20-21页 |
| ·十二烷基磺酸钠(SBS)临界胶束浓度的测定 | 第20页 |
| ·介孔氧化锆的制备及其机理初探 | 第20页 |
| ·温的脱除模板剂的初探 | 第20-21页 |
| 第2章 十二烷基磺酸钠的临界胶束浓度 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21-23页 |
| ·表面活性剂及其特点 | 第21页 |
| ·临界胶束浓度 | 第21-22页 |
| ·胶束的结构与形态 | 第22-23页 |
| ·实验部分 | 第23-24页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第23页 |
| ·实验方案 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-28页 |
| ·不同温度下SBS的临界胶束浓度 | 第24-26页 |
| ·高浓度SBS溶液的电导率 | 第26-28页 |
| ·Zr~(4+)对SBS的临界胶束浓度的影响 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第3章 水解—沉淀法制备介孔氧化锆 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29-30页 |
| ·主要试剂和表征手段 | 第29页 |
| ·介孔氧化锆的制备 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-41页 |
| ·SBS浓度对产物孔结构的影响 | 第30-32页 |
| ·反应条件对产物孔结构的影响 | 第32-40页 |
| ·反应温度的影响 | 第32-33页 |
| ·反应时间的影响 | 第33-34页 |
| ·NH_4HCO_3浓度的影响 | 第34-35页 |
| ·ZrOCl_2·8H_2O浓度的影响 | 第35-37页 |
| ·pH值的影响 | 第37-38页 |
| ·滴加顺序的影响 | 第38-39页 |
| ·最佳条件下制备的产物 | 第39-40页 |
| ·添加三乙醇胺(TEA)对产物孔结构和形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第4章 水解—水热法制备介孔氧化锆 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·主要试剂和表征手段 | 第43页 |
| ·介孔氧化锆的制备 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-50页 |
| ·SBS浓度对产物孔结构的影响 | 第44-45页 |
| ·NH_4HCO_3浓度对产物孔结构和形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·晶化条件对产物孔结构和晶化的影响 | 第47-50页 |
| ·晶化时间的影响 | 第47-48页 |
| ·晶化温度的影响 | 第48-50页 |
| ·陈化时间对产物颗粒尺寸的影响 | 第50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第5章 模板剂的温和脱除方法及其效果比较 | 第52-60页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·主要表征手段 | 第52页 |
| ·实验方案 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·煅烧法脱除效果以及对产物孔结构的影响 | 第53-56页 |
| ·萃取法脱除效果以及对产物孔结构的影响 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
