摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-26页 |
·引言 | 第10-11页 |
·纳米材料概述 | 第11-13页 |
·纳米材料的基本概念和内涵 | 第11页 |
·纳米材料的特性 | 第11-13页 |
·纳米半导体材料 | 第13-16页 |
·半导体的能带结构 | 第13-14页 |
·半导体纳米材料的特性 | 第14-15页 |
·半导体导电的基本原理 | 第15-16页 |
·TiO_2纳米半导体材料的概述 | 第16-24页 |
·TiO_2的结构和性质 | 第16-17页 |
·纳米TiO_2薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
·TiO_2薄膜的应用 | 第18-20页 |
·纳米TiO_2薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
·TiO_2薄膜的光电转换原理 | 第22-24页 |
·本论文研究的意义与内容 | 第24-26页 |
第2章 TiO_2纳米晶的制备与表征 | 第26-42页 |
·溶胶凝胶简介 | 第26-30页 |
·溶胶凝胶的原理 | 第26-27页 |
·溶胶凝胶过程 | 第27-29页 |
·溶胶凝胶法的优缺点及影响溶胶形成的因素 | 第29-30页 |
·TiO_2纳米晶的制备 | 第30-33页 |
·实验试剂与仪器 | 第30-31页 |
·实验步骤与流程 | 第31-32页 |
·表征方法 | 第32-33页 |
·结果与讨论 | 第33-38页 |
·X射线衍射(XRD)分析 | 第33-35页 |
·粒径与煅烧温度的关系 | 第35页 |
·红外(IR)光谱分析 | 第35-37页 |
·溶胶稳定性测试 | 第37-38页 |
·TiO_2的光致发光性质研究 | 第38-40页 |
·半导体的光致发光原理 | 第38-39页 |
·TiO_2纳米晶光致发光(PL)光谱分析 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第3章 纳米TiO_2薄膜的制备与表征 | 第42-52页 |
·纳米TiO_2薄膜的制备 | 第42-46页 |
·实验试剂与仪器 | 第43-44页 |
·实验步骤与流程 | 第44-45页 |
·表征方法 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-50页 |
·薄膜牢固度分析 | 第46页 |
·紫外可见(UV-vis)吸收谱分析 | 第46-47页 |
·XRD分析 | 第47-48页 |
·原子力显微照片(FAM)分析 | 第48-50页 |
·PEG的作用与影响 | 第50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第4章 纳米TiO_2薄膜的光电性能研究 | 第52-64页 |
·光电转换效率的计算 | 第52页 |
·纳米TiO_2薄膜电极的光电性能研究 | 第52-62页 |
·热处理温度对光电流的影响 | 第53-54页 |
·膜厚对光电流的影响 | 第54-55页 |
·照射波长对光电流的影响 | 第55-56页 |
·电极电位对光电流的影响 | 第56-57页 |
·瞬态光电流响应 | 第57-58页 |
·电解液浓度对光电流的影响 | 第58-59页 |
·PH值对光电流的影响 | 第59-61页 |
·光照方向对光电流的影响 | 第61页 |
·PEG对光电流的影响 | 第61-62页 |
·影响薄膜光电性质的因素 | 第62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第5章 纳米TiO_2-Ga薄膜的制备及其光电性能研究 | 第64-72页 |
·掺杂与复合薄膜 | 第64-65页 |
·纳米TiO_2-Ga薄膜的制备 | 第65-67页 |
·实验试剂与仪器 | 第65-66页 |
·实验步骤与流程 | 第66页 |
·分析表征 | 第66-67页 |
·结果与讨论 | 第67-69页 |
·XRD分析 | 第67-68页 |
·TiO_2-Ga薄膜的吸收谱分析 | 第68-69页 |
·光电特性研究 | 第69-71页 |
·TiO_2-Ga的光电流作用谱 | 第69-70页 |
·TiO_2-Ga薄膜电极的伏安曲线 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第6章 结论与展望 | 第72-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
致谢 | 第79页 |