| 中文摘要 | 第1-13页 |
| Abstract | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·自旋极化电荷的输运简介 | 第18-20页 |
| ·隧道磁电阻 | 第18-19页 |
| ·巨磁电阻 | 第19页 |
| ·自旋-轨道耦合和霍尔效应 | 第19-20页 |
| ·磁性半导体中的磁电阻 | 第20-22页 |
| ·负磁电阻 | 第20-21页 |
| ·正磁电阻 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究内容及方法 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 自旋依赖的变程跃迁实验与理论模型 | 第27-39页 |
| ·研究动机 | 第27-28页 |
| ·实验结果 | 第28-30页 |
| ·理论模型与公式 | 第30-33页 |
| ·理论拟合与实验结果比较 | 第33-34页 |
| ·讨论 | 第34-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 从变程跃迁到硬带跃迁的转变 | 第39-48页 |
| ·研究动机 | 第39页 |
| ·样品制备与结构 | 第39-40页 |
| ·电子输运实验结果 | 第40-42页 |
| ·理论模型 | 第42-44页 |
| ·理论拟合与讨论 | 第44-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 库仑屏蔽作用下的变程跃迁 | 第48-56页 |
| ·研究动机 | 第48页 |
| ·样品制备与测量 | 第48-49页 |
| ·实验结果与讨论 | 第49-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 (Co_x Al_(1-x))_2O_(3-v)磁性半导体及其输运性质 | 第56-63页 |
| ·研究动机 | 第56页 |
| ·样品的制备与基本结构 | 第56-57页 |
| ·输运性质与讨论 | 第57-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 宽禁带氧化物磁性半导体中电子输运的共性 | 第63-75页 |
| ·研究动机 | 第63页 |
| ·实验简介 | 第63-64页 |
| ·实验结果与讨论 | 第64-68页 |
| ·理论公式与讨论 | 第68-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第七章 Co掺 ZnO外延单晶稀磁半导体薄膜在硬带跃迁区的正磁电阻 | 第75-84页 |
| ·研究动机 | 第75页 |
| ·样品的制备与结构 | 第75-76页 |
| ·实验结果与讨论 | 第76-81页 |
| ·结论 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第八章 氧化物磁性半导体纳米颗粒中的正磁电阻 | 第84-98页 |
| ·研究动机 | 第84页 |
| ·样品制备与结构 | 第84-88页 |
| ·电子输运结果与讨论 | 第88-95页 |
| ·Co掺杂 ZnO中的正磁电阻 | 第91-93页 |
| ·Co掺 Cu_2O中的正磁电阻 | 第93-94页 |
| ·正磁电阻的温度依赖关系 | 第94-95页 |
| ·结论 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第九章 Ge_(1-x)Mn_x/Ge外延异质结中的正磁电阻 | 第98-107页 |
| ·研究动机 | 第98页 |
| ·样品的制备与结构 | 第98-99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-104页 |
| ·结论 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 全文总结 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第109-111页 |
| 参加的学术会议 | 第111-112页 |
| 发表文章 | 第112-137页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第137页 |
