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有机自旋电子学中的隧穿磁电阻研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-26页
   ·引言第9-10页
   ·自旋电子学简介第10-20页
     ·巨磁电阻(GMR)第10-15页
     ·隧穿磁电阻(TMR)第15-18页
     ·半导体自旋电子学第18-20页
   ·有机自旋电子学简介第20-25页
     ·有机自旋阀器件第21-22页
     ·自旋OLED 器件第22-23页
     ·有机磁阻(OMAR)器件第23-25页
   ·拟研究的内容和意义第25-26页
第二章 自旋电子隧穿磁电阻(TMR)理论研究第26-37页
   ·自旋电子学的理论研究和计算方法第26-32页
     ·Julliere 模型第26-27页
     ·Slonczewski 近自由电子模型第27-31页
     ·转移哈密顿方法第31-32页
   ·有机自旋电子学的理论研究和实验研究第32-37页
     ·扩散理论第32-33页
     ·有机自旋电子学的实验研究进展第33-37页
第三章 铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻第37-44页
   ·引言第37-38页
   ·理论与模型第38-40页
   ·计算结果与讨论第40-43页
   ·本章小结第43-44页
第四章 铁磁/有机/绝缘/铁磁多层膜的隧道磁电阻研究第44-53页
   ·引言第44页
   ·理论与模型第44-48页
   ·计算结果与讨论第48-52页
   ·本章小结第52-53页
第五章 总结与展望第53-55页
参考文献第55-61页
致谢第61-62页
在校期间的科研成果第62页

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